[發(fā)明專利]一種加速度計(jì)的Z軸結(jié)構(gòu)及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510050419.2
• 申請(qǐng)日: 2015-01-30
• 公開（公告）號(hào): CN104569491B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭國(guó)光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號(hào): G01P15/125
• 分類號(hào): G01P15/125
• 代理公司: 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)11442
• 代理人: 馬佑平,王昭智

1.一種加速度計(jì)的Z軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括襯底(1)、固定電極(2)、質(zhì)量塊(3)，在所述襯底(1)的表面上設(shè)置有第一錨點(diǎn)(20)，所述固定電極(2)通過其端部連接在第一錨點(diǎn)(20)上，所述固定電極(2)通過第一錨點(diǎn)(20)懸置在襯底(1)上；在所述襯底(1)的表面上還設(shè)置有中間錨點(diǎn)(4)，所述質(zhì)量塊(3)通過中間錨點(diǎn)(4)懸置在固定電極(2)的上方，在所述質(zhì)量塊(3)、固定電極(2)上設(shè)置有多個(gè)通孔(6)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Z軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述固定電極(2)與第一錨點(diǎn)(20)一體成型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Z軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一錨點(diǎn)(20)鄰近中間錨點(diǎn)(4)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Z軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述固定電極(2)采用多晶硅材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Z軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述固定電極(2)的厚度在5μm以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Z軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述固定電極(2)的下表面還設(shè)置有加強(qiáng)結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的Z軸結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述加強(qiáng)結(jié)構(gòu)為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

8.一種Z軸結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)方法，其特征在于，包括以下步驟：

a、在襯底(1)上沉積第一犧牲層(7)，并在該第一犧牲層(7)上刻蝕出第一錨點(diǎn)、第一中間錨點(diǎn)的區(qū)域；

b、在第一犧牲層(7)上以及第一錨點(diǎn)、第一中間錨點(diǎn)的區(qū)域沉積固定電極層(a)；

c、在固定電極層(a)上刻蝕出與第一錨點(diǎn)(20)連接的固定電極(2)以及第一中間錨點(diǎn)(21)的圖案，并在固定電極(2)上刻蝕出多個(gè)通孔(6)；

d、在固定電極(2)上以及第一中間錨點(diǎn)(21)的區(qū)域沉積第二犧牲層(8)；

e、將位于第一中間錨點(diǎn)(21)正上方的第二犧牲層(8)刻蝕掉；

f、在第二犧牲層(8)上方沉積質(zhì)量塊層，并在質(zhì)量塊層上刻蝕出質(zhì)量塊(3)、第二中間錨點(diǎn)(31)的圖案，其中第二中間錨點(diǎn)(31)位于第一中間錨點(diǎn)(21)的正上方；并在質(zhì)量塊(3)上刻蝕出多個(gè)通孔(6)；

g、去掉第一犧牲層(7)、第二犧牲層(8)，形成Z軸結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的生產(chǎn)方法，其特征在于：在所述步驟b、步驟c之間還包括將固定電極層(a)平整化成預(yù)定厚度的步驟。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的生產(chǎn)方法，其特征在于：所述步驟f中，在將質(zhì)量塊層刻蝕出質(zhì)量塊(3)、第二中間錨點(diǎn)(31)的圖案之前，還包括將質(zhì)量塊層平整化成預(yù)定厚度的步驟。