[發(fā)明專利]一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)

有效

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• 申請日: 2015-01-30
• 公開（公告）號: CN104587936B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 廖宗仁;余其俊
• 申請（專利權(quán)）人: 東莞佰鴻電子有限公司
• 主分類號: B01J19/12
• 分類號: B01J19/12
• 代理公司: 東莞市冠誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44272
• 代理人: 楊正坤

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和光化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)。

背景技術(shù)

所謂光化學(xué)反應(yīng)是指由一個原子、分子、自由基或離子吸收一個光子所引發(fā)的化學(xué)反應(yīng)。常用的光化學(xué)反應(yīng)都是利用波長為400納米之下，800納米之上的光波來進(jìn)行，也即作為不可見光的紫外線和紅外線。

氧化銦錫（ITO）是一種透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，透光性優(yōu)良、導(dǎo)電能力良好，在太陽能電池、平板顯示、防霜玻璃、節(jié)能建筑窗、航空領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

ITO膜在LED外延片上作為透明導(dǎo)電膜的角色，ITO表面的粗糙度對于亮度的提升有明顯的幫助。為了實現(xiàn)該粗糙度，傳統(tǒng)上需要上光阻后蝕刻ITO，需要經(jīng)過溫度為100℃至600℃的高含量氧氣＞100sccm）的熱處理后，ITO表面會局部聚積成氧化銦及氧化錫的子顆粒，然后與相應(yīng)的溶劑對氧化銦或/及氧化錫進(jìn)行蝕刻，以達(dá)到粗糙的程度。

高溫的加熱除了耗能之外，還常常伴隨著加熱后原液揮發(fā)后對身體的危害，不能滿足現(xiàn)代企業(yè)對環(huán)保生產(chǎn)的要求，降低了企業(yè)的競爭力。

發(fā)明內(nèi)容

????本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，實現(xiàn)不需要加熱而利用可見光LED進(jìn)行蝕刻、沈積處理，達(dá)到節(jié)能、環(huán)保、純凈的效果，對人體無害。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，包括LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、控制單元、反應(yīng)傳感器和反應(yīng)單元，該控制單元與所述LED光化學(xué)引擎、化學(xué)反應(yīng)容器、反應(yīng)傳感器電性連接，并通過控制單元控制所述LED光化學(xué)引擎的啟停和調(diào)節(jié)、以及控制所述反應(yīng)單元在所述化學(xué)反應(yīng)容器的流通，通過所述反應(yīng)傳感器對所述化學(xué)反應(yīng)容器內(nèi)的蝕刻、沈積程度向所述控制單元進(jìn)行反饋；所述反應(yīng)單元至少包括第一反應(yīng)子和第二反應(yīng)子，該第一反應(yīng)子作為需要進(jìn)行蝕刻、沈積的基材，該第二反應(yīng)子作為蝕刻、沈積所述第一反應(yīng)子的溶劑；所述第一反應(yīng)子浸泡在所述第二反應(yīng)子中。

上述技術(shù)方案中，所述反應(yīng)傳感器以所述第一反應(yīng)子或第二反應(yīng)子作為對象，通過電子顯微鏡、質(zhì)譜儀或光接發(fā)器作為途徑，向所述控制單元進(jìn)行蝕刻、沈積程度的反饋；并且所述反應(yīng)傳感器設(shè)置于所述化學(xué)反應(yīng)容器之外或之內(nèi)。

上述技術(shù)方案中，所述化學(xué)反應(yīng)容器還連通有輸送管道，該輸送管道與多個反應(yīng)子容器連通。

上述技術(shù)方案中，所述LED光化學(xué)引擎所使用的光波波長為400納米至800納米。

上述技術(shù)方案中，所述第二反應(yīng)子為酸液，為草酸或磷酸。?

本發(fā)明的有益效果是：通過利用LED光化學(xué)引擎對第一反應(yīng)子進(jìn)行激態(tài)反應(yīng)，并且通過第二反應(yīng)子與所激態(tài)反應(yīng)產(chǎn)生的元素進(jìn)行反應(yīng)，對第一反應(yīng)子進(jìn)行蝕刻、沈積。在不需要高溫加熱的作用下進(jìn)行對半導(dǎo)體的蝕刻、沈積，有利于節(jié)能環(huán)保。并且不要產(chǎn)生對人體有害的物質(zhì)，安全性有保障。也不會產(chǎn)生雜志依附在第一反應(yīng)子上，使蝕刻、沈積出來第一反應(yīng)子比較純凈。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1、LED光化學(xué)引擎；2、化學(xué)反應(yīng)容器；3、第一反應(yīng)子；4、第二反應(yīng)子；5、輸送管道；6、閥門；7、反應(yīng)子容器。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。

如圖1所示，一種光化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)，包括LED光化學(xué)引擎1、化學(xué)反應(yīng)容器2、控制單元、反應(yīng)傳感器和反應(yīng)單元，該控制單元與所述LED光化學(xué)引擎1、化學(xué)反應(yīng)容器2、反應(yīng)傳感器電性連接，并通過控制單元控制所述LED光化學(xué)引擎1的啟停和調(diào)節(jié)、以及控制所述反應(yīng)單元在所述化學(xué)反應(yīng)容器2的流通，通過所述反應(yīng)傳感器對所述化學(xué)反應(yīng)容器2內(nèi)的蝕刻、沈積程度向所述控制單元進(jìn)行反饋；所述反應(yīng)單元至少包括第一反應(yīng)子3和第二反應(yīng)子4，該第一反應(yīng)子3作為需要進(jìn)行蝕刻、沈積的基材，該第二反應(yīng)子4作為蝕刻、沈積所述第一反應(yīng)子3的溶劑；所述第一反應(yīng)子3浸泡在所述第二反應(yīng)子4中。

其中，LED光化學(xué)引擎1，可以由一個或多個LED串聯(lián)或并聯(lián)組成，LED的使用能夠很好地進(jìn)行節(jié)能和增加工作穩(wěn)定性。LED光化學(xué)引擎1的對第一反應(yīng)子3的照射范圍限于第一反應(yīng)子3所浸泡到的部分。

其中，化學(xué)反應(yīng)容器2可以是化學(xué)反應(yīng)槽、化學(xué)反應(yīng)室或化學(xué)反應(yīng)腔，由于本發(fā)明不需要使用高溫加熱，原液不會發(fā)生揮發(fā)，可以使用化學(xué)反應(yīng)槽，以方便操作。