[發明專利]通過噴射沉積與近熔點壓制致密化制備高硅鋁合金電子封裝材料的方法在審
| 申請號： | 201510048227.8 | 申請日： | 2015-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN105986132A | 公開（公告）日： | 2016-10-05 |
| 發明（設計）人： | 王日初;鄧宏貴;劉繼嘉 | 申請（專利權）人： | 中南大學 |
| 主分類號： | C22C1/00 | 分類號： | C22C1/00;C22C21/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 410083 湖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通過 噴射 沉積 熔點 壓制 致密 制備 鋁合金 電子 封裝 材料 方法 | ||
【權利要求書】：
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