[發明專利]隔離型NLDMOS器件有效
| 申請號： | 201510048208.5 | 申請日： | 2015-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN104638013B | 公開（公告）日： | 2017-10-24 |
| 發明（設計）人： | 段文婷;劉冬華;錢文生 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 隔離 nldmos 器件 | ||
1.一種隔離型NLDMOS器件，其特征在于，終端位于元胞區的上端及下端；
所述元胞區，在P型硅襯底上形成有左N型深阱、右N型深阱兩個獨立的N型深阱；
所述左N型深阱，左部形成有一P阱；
所述P阱，左部形成有一P型重摻雜區及一源端N型重摻雜區；
所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有柵氧化層；
所述左N型深阱同所述右N型深阱之間的P型硅襯底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有場氧；
所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重摻雜區；
所述場氧左部上方及所述柵氧化層上方，形成有柵極多晶硅；
所述場氧下方的P型硅襯底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入區；
所述左N型深阱、右N型深阱、P阱、柵氧化層、場氧、漏端N型重摻雜區、柵極多晶硅、漂移P型注入區，向上下兩端延伸至終端；
所述終端，其中的右N型深阱的左側右移，其中的漂移P型注入區的左側右移，并且漂移P型注入區整體都在右N型深阱內部；
在元胞區同終端之間的過渡區，右N型深阱的左側位置為緩變過渡，漂移P型注入區的左側位置為緩變過渡。
2.根據權利要求1所述的隔離型NLDMOS器件，其特征在于，
在元胞區同終端之間的過渡區，右N型深阱的左側位置為弧線型過渡；漂移P型注入區的左側位置為弧線型過渡。
3.根據權利要求1所述的隔離型NLDMOS器件，其特征在于，
P型硅襯底、P阱、漂移P型注入區、P型重摻雜區，P型摻雜濃度依次增加；
左N型深阱、右N型深阱的N型摻雜濃度,小于源端N型重摻雜區、漏端N型重摻雜區的N型摻雜濃度。
4.根據權利要求1所述的隔離型NLDMOS器件，其特征在于，
所述場氧右部上方形成有漏端多晶硅場板；
層間介質覆蓋在器件表面；
所述P型重摻雜區同所述源端N型重摻雜區，通過穿過層間介質的一金屬短接在一起；
所述漏端N型重摻雜區同所述漏端多晶硅場板，通過穿過層間介質的另一金屬短接在一起。
5.根據權利要求1所述的隔離型NLDMOS器件，其特征在于，
所述P阱中形成有一源端P型注入區。
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