[發(fā)明專利]具備保護(hù)膜的薄膜晶體管基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510046590.6
• 申請(qǐng)日: 2015-01-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104821337B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石河泰明;浦岡行治;野中敏章
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)立大學(xué)法人奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué);AZ電子材料（盧森堡）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/12;C08G77/06;G03F7/038;G03F7/039
• 代理公司: 北京三幸商標(biāo)專利事務(wù)所(普通合伙) 11216
• 代理人: 劉激揚(yáng)

1.一種薄膜晶體管基板，其為包含薄膜晶體管、以及由覆蓋所述薄膜晶體管的感光性硅氧烷組合物的固化物形成的保護(hù)膜的薄膜晶體管基板，其特征在于，

所述薄膜晶體管具有由氧化物半導(dǎo)體形成的半導(dǎo)體層，

所述感光性硅氧烷組合物含有堿溶解速度不同的至少兩種聚硅氧烷、感光劑以及溶劑，

并且，所述薄膜晶體管基板是通過(guò)包含如下工序的制造方法制造的：

準(zhǔn)備含有堿溶解速度不同的至少兩種聚硅氧烷、感光劑以及溶劑的感光性硅氧烷組合物的工序，

將所述感光性硅氧烷組合物涂布于薄膜晶體管，將所述溶劑干燥而形成保護(hù)膜前體層的工序，

將所述保護(hù)膜前體層曝光的工序，

將曝光了的所述保護(hù)膜前體層顯影的工序，

將顯影了的所述保護(hù)膜前體層加熱固化而形成保護(hù)膜的工序，

將具備加熱固化而得到的所述保護(hù)膜的薄膜晶體管進(jìn)行至少一次退火的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述加熱固化在200℃以上500℃以下的溫度下進(jìn)行10分鐘以上的時(shí)間，并且，所述退火在250℃以上450℃以下的溫度下進(jìn)行30分鐘以上不足120分鐘的時(shí)間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述退火在氧氣環(huán)境下在250℃以上400℃以下的溫度下進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述退火在300℃以上400℃以下進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述聚硅氧烷包含聚硅氧烷(I)以及聚硅氧烷(II)，

該聚硅氧烷(I)是在堿性催化劑的存在下使由下述式(1)表示的硅烷化合物與由下述式(2)表示的硅烷化合物進(jìn)行水解以及縮合而獲得的聚硅氧烷，并且預(yù)烘烤后的膜能溶于5重量％四甲基氫氧化銨水溶液，其溶解速度為以下，

RSi(OR¹)₃ (1)

Si(OR¹)₄ (2)

式中，R表示碳原子數(shù)1～20的直鏈狀、支鏈狀或環(huán)狀烷基、或者至少一個(gè)亞甲基也可被氧取代的碳原子數(shù)1～20的直鏈狀、支鏈狀或者環(huán)狀烷基、或碳原子數(shù)6～20的芳基、或者至少一個(gè)氫也可被氟取代的碳原子數(shù)6～20的芳基，R¹表示碳原子數(shù)1～5的烷基，

該聚硅氧烷(II)是在酸性或者堿性催化劑的存在下至少使上述通式(1)的硅烷化合物進(jìn)行水解以及縮合而獲得的聚硅氧烷，并且預(yù)烘烤后的膜能溶于2.38重量％四甲基氫氧化銨水溶液，其溶解速度為以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述感光性硅氧烷組合物是含有堿溶解速度不同的至少兩種聚硅氧烷、重氮基萘醌衍生物以及溶劑的正型感光性硅氧烷組合物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述感光性硅氧烷組合物是含有堿溶解速度不同的至少兩種聚硅氧烷、可通過(guò)光而產(chǎn)生酸或者堿的固化助劑以及溶劑的負(fù)型感光性硅氧烷組合物。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管基板，其中，所述聚硅氧烷(I)以及聚硅氧烷(II)中的上述通式(2)的硅烷化合物的含量占各聚硅氧烷化合物中的3mol％至40mol％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管基板，其中，在所述保護(hù)膜上具有第二保護(hù)膜。