[發明專利]OLED像素結構有效
| 申請號: | 201510044960.2 | 申請日: | 2015-01-28 |
| 公開(公告)號: | CN104576708B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 吳元均;吳小玲;遲世鵬 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 像素 結構 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種OLED像素結構。
背景技術
有機發光二極管顯示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)是一種極具發展前景的平板顯示技術,它不僅具有十分優異的顯示性能,還具有自發光、結構簡單、超輕薄、響應速度快、寬視角、低功耗及可實現柔性顯示等特性,被譽為“夢幻顯示器”,再加上其生產設備投資遠小于液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD),得到了各大顯示器廠家的青睞,已成為顯示技術領域中第三代顯示器件的主力軍。
如圖1所示,為一種現有的OLED的驅動電路圖。在OLED顯示裝置中,每一個OLED發光器件都可以等效為一個發光二極管和一個電容并聯的結構,并聯電容的大小直接影響著OLED兩端的電壓、流經的電流大小,繼而影響整個OLED顯示裝置的顯示質量。
如圖2所示,為一種現有OLED像素結構的剖面示意圖。所述OLED像素結構包括紅、綠、藍色子像素區域,所述紅、綠、藍色子像素區域分別包括基板100、形成于所述基板100上的陽極200、形成于所述陽極200上的平坦層300、形成于所述平坦層300上的有機發光層400、形成于所述有機發光層400上的陰極500,所述平坦層300上設有開口區310,所述有機發光層400經由所述開口區310與所述陽極200相接觸。
而在現有OLED像素結構中,因紅、綠、藍色子像素區域的發光材料、開口率、及衰減的不同,造成紅、綠、藍色子像素區域的總電容值不同,從而造成不同子像素區域的OLED兩端的電壓不同,進而不同子像素區域OLED的發光亮度也不同,從而影響OLED器件的性能及整個顯示屏的顯示質量。
發明內容
本發明的目的在于提供一種OLED像素結構,該OLED像素結構中的紅、綠、藍色子像素區域的總電容值相等,且達到OLED驅動電路所需的電容值。
為實現上述目的,本發明提供一種OLED像素結構,包括紅、綠、藍色子像素區域,所述紅、綠、藍色子像素區域分別包括基板、形成于所述基板上的陽極、形成于所述陽極上的平坦層、形成于所述平坦層上的有機發光層、及形成于所述有機發光層上的陰極,所述平坦層上設有開口區,所述有機發光層經由所述開口區與所述陽極相接觸,所述陽極包括陽極本體、及與所述陽極本體相連接的陽極補償區域,所述陰極、陽極補償區域、及位于所述陰極與陽極補償區域之間的夾層共同構成補償電容Cp,所述補償電容Cp分別使所述紅/綠/藍色子像素區域的總電容值相等,并達到OLED驅動電路所需的電容值C總。
所述夾層為有機發光層、及平坦層,所述陰極、陽極補償區域、及位于所述陰極與陽極補償區域之間的有機發光層、及平坦層共同構成補償電容Cp。
所述陽極補償區域上設有絕緣層,所述夾層為有機發光層、及絕緣層,所述陰極、陽極補償區域、及位于所述陰極與陽極補償區域之間的有機發光層、及絕緣層共同構成補償電容Cp。
所述絕緣層的材料為氧化硅,所述絕緣層的厚度小于所述平坦層的厚度。
所述陽極本體的材料為氧化銦錫。
所述平坦層的材料為有機材料。
所述紅、綠、藍色子像素區域的陽極補償區域的面積大小不同。
根據OLED驅動電路所需的電容C總以及所述紅色子像素區域內OLED的自身電容Cr,計算出所述紅色子像素區域的補償電容Cp=C總-Cr,再根據平板電容計算公式計算出所述紅色子像素區域的陽極補償區域的面積。
根據OLED驅動電路所需的電容C總以及所述綠色子像素區域內OLED的自身電容Cg,計算出所述綠色子像素區域的補償電容Cp=C總-Cg,再根據平板電容計算公式計算出所述綠色子像素區域的陽極補償區域的面積。
根據OLED驅動電路所需的電容C總以及所述藍色子像素區域內OLED的自身電容Cb,計算出所述藍色子像素區域的補償電容Cp=C總-Cb,再根據平板電容計算公式計算出所述藍色子像素區域的陽極補償區域的面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





