[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管外延片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510044594.0
• 申請(qǐng)日: 2015-01-29
• 公開（公告）號(hào): CN104681676A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏立軍;韓杰;胡加輝;魏世禎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華燦光電(蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/06
• 分類號(hào): H01L33/06;H01L33/08
• 代理公司: 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發(fā)光二極管外延片，所述外延片包括襯底、依次形成在所述襯底上的第一半導(dǎo)體層、有源層、電子阻擋層和第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層包括N型GaN層，所述第二半導(dǎo)體層包括P型GaN層，其特征在于，

所述電子阻擋層包括形成在所述有源層上的第一子層及形成在所述第一子層上的P型摻雜的第二子層；

所述第一子層包括依次設(shè)置在所述有源層上的u-GaN層和Al_1-yGa_yN層；或者，所述第一子層包括u-GaN/Al_1-yGa_yN超晶格，0<y<1；

所述第二子層包括依次設(shè)置在所述第一子層上的In_xGa_1-xN層、SiN層和Al_aIn_bGa_1-a-bN層；或者，所述第二子層包括N個(gè)由In_xGa_1-xN層和Al_aIn_bGa_1-a-bN層構(gòu)成的周期性結(jié)構(gòu)以及M個(gè)設(shè)于所述In_xGa_1-xN層和所述Al_aIn_bGa_1-a-bN層之間的SiN層，相鄰設(shè)置的所述In_xGa_1-xN層和所述Al_aIn_bGa_1-a-bN層之間只設(shè)有一個(gè)所述SiN層，所述N為整數(shù)，且2≤N，所述M為整數(shù)，且1≤M≤2N-1，0<X＜1，0<a<1，0<a+b<1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，當(dāng)所述第一子層包括所述u-GaN/Al_1-yGa_yN超晶格時(shí)，所述u-GaN/Al_1-yGa_yN超晶格的周期為3-6。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一子層的厚度在15-25納米之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第一子層的Al_1-yGa_yN層中摻雜有Mg。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外延片，其特征在于，當(dāng)所述第一子層包括所述u-GaN/Al_1-yGa_yN超晶格時(shí)，靠近所述第二半導(dǎo)體層的Al_1-yGa_yN層中摻雜有Mg。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N為3-5。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述第二子層的In_xGa_1-xN層和Al_aIn_bGa_1-a-bN層中摻雜有Mg。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，當(dāng)所述第二子層只包括一個(gè)所述SiN層時(shí)，所述SiN層位于所述第二子層的中間位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括依次設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述有源層之間的N型電流擴(kuò)展層和應(yīng)力釋放層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述外延片還包括依次設(shè)置在所述襯底和所述第一半導(dǎo)體層之間的緩沖層和u型GaN層。