[發明專利]全光寬帶微波頻率梳發生器

有效

• 申請號: 201510044056.1
• 申請日: 2015-01-27
• 公開（公告）號: CN104577648B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 鄧濤;吳正茂;夏光瓊;吳加貴;唐曦
• 申請（專利權）人: 西南大學
• 主分類號: H01S1/02
• 分類號: H01S1/02
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246
• 代理人: 裴娜

1.一種全光寬帶微波頻率梳發生器，其特征在于：所述發生器包括頻率梳種子源發生模塊、調節控制模塊、頻譜拓展模塊，所述頻率梳種子源發生模塊用于產生梳距可調的微波頻率梳種子源信號，所述頻率梳種子源發生模塊包括第一半導體激光器(1)、第一非球面透鏡(2)、第一分束器(3)、第二分束器(4)、第一法拉第旋轉器(5)、第二法拉第旋轉器(6)、第一平面反射鏡(7)和第二平面反射鏡(8)，所述調節控制模塊包括計算機(9)和壓電陶瓷(10)，所述壓電陶瓷(10)固定在所述第一平面反射鏡(7)和第二平面反射鏡(8)上，所述頻譜拓展模塊包括可調衰減器(11)、光隔離器(12)、第二非球面透鏡(13)和第二半導體激光器(14)，第一半導體激光器(1)發射出的光束經第一非球面透鏡(2)后通過第一分束器(3)分為兩部分，第一部分經第一法拉第旋轉器(5)后發送給第一平面反射鏡(7)，第二部分經第二分束器(4)后又分為兩部分，其中第一部分經第二法拉第旋轉器(6)后發送給第二平面反射鏡(8)，第二部分依次經可調衰減器(11)、光隔離器(12)、第二非球面透鏡(13)后發送給第二半導體激光器(14)，計算機(9)分別與第一半導體激光器(1)、第二半導體激光器(14)、壓電陶瓷(10)和可調衰減器(11)連接，分別控制第一半導體激光器(1)、第二半導體激光器(14)的溫度、電流及反饋的腔長，所述第二半導體激光器采用優化機制以提高頻率梳各梳線的純度和均衡各梳線的功率。

2.根據權利要求1所述的全光寬帶微波頻率梳發生器，其特征在于：所述半導體激光器選用商用半導體激光器LDM5S515-005，中心波長1550nm。

3.根據權利要求1所述的全光寬帶微波頻率梳發生器，其特征在于：所述第一平面反射鏡(7)和第二平面反射鏡(8)相對于豎直面呈對稱設置。

4.根據權利要求1所述的全光寬帶微波頻率梳發生器，其特征在于：所述調節控制模塊還包括溫度控制模塊(15)和電流控制模塊(16)，所述溫度控制模塊(15)和電流控制模塊(16)分別與第一半導體激光器(1)和第二半導體激光器(14)的溫度控制端和電流控制端連接，所述溫度控制模塊(15)和電流控制模塊(16)受控于所述計算機(9)。