[發明專利]底發射型有機電致發光顯示器件、其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201510041448.2
• 申請日: 2015-01-27
• 公開（公告）號: CN104576706B
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 李旭遠
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤指一種底發射型有機電致發光顯示器件、其制作方法及顯示裝置。

背景技術

目前，有機電致發光顯示器件(OLED，Organic Light－Emitting Display)是指有機半導體發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光的現象。其發光原理是利用銦錫金屬氧化物(ITO，Indium Tin Oxides)透明電極和金屬電極分別作為器件的陽極和陰極，在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層，電子和空穴分別經過電子和空穴傳輸層遷移到發光層，并在發光層中相遇形成激子使發光分子激發，后者經過輻射弛豫而發出可見光。OLED具有更薄更輕、主動發光(不需要背光源)、無視角問題、高清晰、高亮度、響應快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強、成本低和可實現柔軟顯示等優點。

OLED按照光的取出方式可以分為底發射型和頂發射型兩大類，底發射型OLED中的光取出來自于襯底基板一側，而頂發射型OLED中的光取出來自頂端；按照驅動方式可以分為無源驅動和有源驅動兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)矩陣尋址兩類，其中，有源驅動也稱為有源矩陣(AM)型中的每個發光單元都由TFT尋址獨立控制。對于大屏幕高分辨率顯示，通常采用有源矩陣驅動方式。

對于AMOLED顯示屏，TFT包含中的金屬層，例如柵極層、源漏極層等結構，都是由金屬材料制備而成，而金屬材料具有很高的反射率，當AMOLED顯示屏為底發射型結構時，由于TFT包含的金屬層具有很高的反射率，外界環境光會在金屬層表面形成強烈的反射，會造成了顯示屏在暗態會有很強的反射影像存在，即使在顯示狀態也會有反射影像，這會降低顯示屏的畫面質量和觀瞻效果。為了解決這個問題，現有的方法是在顯示屏的發光面貼敷偏光片，這種方法可以有效地降低反射，但同時會導致顯示屏的亮度下降50％，即貼敷偏光片會造成了像素區出射光線的大量損耗，可達到50％，進一步會造成顯示屏的功耗上升很大。

因此，如何選用一種新的方法，既可以降低金屬層表面的反射率，又可以減小出射光線的損耗率，是本領域技術人員亟需解決的技術問題。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種底發射型有機電致發光顯示器件、其制作方法及顯示裝置，可以降低薄膜晶體管中包含的金屬層表面的反射率，又可以減小出射光線的損耗率，從而提高畫面質量和顯示效果。

因此，本發明實施例提供了一種底發射型有機電致發光顯示器件，包括：襯底基板，依次設置在所述襯底基板上的至少一組介質薄膜層組和薄膜晶體管；各所述介質薄膜層組包括層疊設置的折射率從所述襯底基板指向所述薄膜晶體管依次遞增的至少兩層介質薄膜層。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述底發射型有機電致發光顯示器件中，各所述介質薄膜層組包括：第一介質薄膜層和位于所述第一介質薄膜層上的第二介質薄膜層；

所述第二介質薄膜層的折射率大于所述第一介質薄膜層的折射率。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述底發射型有機電致發光顯示器件中，所述第一介質薄膜層與所述第二介質薄膜層的折射率之比為0.4至0.6。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述底發射型有機電致發光顯示器件中，所述第一介質薄膜層的材料為SiOx、LiF、MgF、MgO其中之一或組合；

所述第二介質薄膜層的材料為SiN_x、CdS、CeO₂、HfO₂、Nb₂O₅、PbCl₃、Sb₂S₃其中之一或組合。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述底發射型有機電致發光顯示器件中，各所述介質薄膜層組中包含的各介質薄膜層的光學厚度相同。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述底發射型有機電致發光顯示器件中，各所述介質薄膜層組中包含的各介質薄膜層的光學厚度均為基準波長的四分之一；其中，所述基準波長為550納米。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述底發射型有機電致發光顯示器件中，最上層的介質薄膜層組中的最上層介質薄膜層與薄膜晶體管中包含的金屬層相互接觸。

在一種可能的實現方式中，在本發明實施例提供的上述底發射型有機電致發光顯示器件中，所述薄膜晶體管為底柵型結構時，所述金屬層為柵極層。