[發明專利]基于表面氧化法制備太陽能電池背電極鈍化層的工藝

無效

• 申請號: 201510039313.2
• 申請日: 2015-01-26
• 公開（公告）號: CN104576780A
• 公開（公告）日: 2015-04-29
• 發明（設計）人: 章婷;郭瑞瑞;錢磊
• 申請（專利權）人: 蘇州瑞晟納米科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種采用表面氧化法制備的鈍化背電極，其特征在于，包括：

襯底；

緩沖層，該緩沖層制作在襯底上，使電極與襯底形成良好的接觸；

導電層，該導電層制作在緩沖層上，是收集載流子，導電的主要部分；

鈍化層，制作在導電層上，通過反應濺射形成氧化物摻雜，與吸收層形成良好接觸。

2.如權利要求1所述的采用表面氧化法制備的鈍化背電極，其特征在于，其中鈍化層是在工作氣體Ar中通入與Ar的比例為20-50％的氧氣，通過反應濺射在Mo層中引入氧化鉬摻雜，生長的厚度為10-300nm。

3.如權利要求1所述的采用表面氧化法制備的鈍化背電極，其特征在于，其中導電層是在低氣壓下生長的，具有致密微觀結構和小電阻的Mo薄膜,其厚度在50-500nm之間。

4.如權利要求1所述的采用表面氧化法制備的鈍化背電極，其特征在于，其中緩沖層是在高氣壓下生長的，具有粗糙疏松微觀結構和大電阻的Mo薄膜，其厚度在100-1000nm之間。

5.如權利要求1所述的基于CIGS薄膜電池的復合背電極，其三層Mo薄膜組成的復合背電極是在同一磁控濺射設備中使用同一個靶，采用不同工藝參數連續制作的。