[發明專利]半導體晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201510039063.2
• 申請日: 2015-01-27
• 公開（公告）號: CN104810323A
• 公開（公告）日: 2015-07-29
• 發明（設計）人: 相川力;小田中健太郎;土屋利夫
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種半導體晶片的加工方法，其是在半導體晶片上沿著間隔道形成分割槽的加工方法，在該半導體晶片中，利用形成為格子狀的多條間隔道劃分出多個器件，所述多個器件由在半導體基板的表面層疊的含有絕緣膜和功能膜的層疊體形成，并且，在該器件及該間隔道的表面覆蓋形成有玻璃鈍化膜，

該半導體晶片的加工方法的特征在于，

所述半導體晶片的加工方法包括如下工序：

鈍化膜切斷槽形成工序，從該玻璃鈍化膜側沿著該間隔道照射對于該玻璃鈍化膜具有吸收性的波長的CO₂激光光線，沿著該間隔道去除該玻璃鈍化膜而形成切斷槽；和

分割槽形成工序，在實施了該鈍化膜切斷槽形成工序后，沿著該切斷槽照射對于該層疊體具有吸收性的波長的激光光線，沿著該間隔道去除該層疊體而形成分割槽。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片的加工方法，其特征在于，

在該鈍化膜切斷槽形成工序中照射的CO₂激光光線的波長被設定為9.4μm至10.6μm。