[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 201510037562.8 | 申請日: | 2015-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN104538412A | 公開(公告)日: | 2015-04-22 |
| 發明(設計)人: | 田允允;崔賢植 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括源電極和漏電極,其特征在于,所述陣列基板還包括像素電極,所述像素電極與所述漏電極同層同材料設置,具有多個狹縫。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極的多個狹縫平行設置,光經過所述像素電極后變為偏振光。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述狹縫的寬度小于0.5um。
4.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極與所述漏電極為一體結構。
5.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
公共電極,所述公共電極為狹縫電極,且位于所述像素電極上方。
6.一種顯示裝置,包括背光源、對盒設置的陣列基板和彩膜基板,以及填充在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子層,所述陣列基板包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括源電極和漏電極,其特征在于,所述陣列基板還包括像素電極,所述像素電極與所述漏電極同層同材料設置,具有多個狹縫。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其特征在于,所述像素電極的多個狹縫平行設置,所述狹縫的寬度小于所述背光源發出光線的波長;
所述顯示裝置還包括:
上偏光片,設置在所述彩膜基板遠離所述陣列基板的一側;
所述上偏光片的偏振方向與所述像素電極的狹縫延伸方向平行。
8.根據權利要求6或7所述的顯示裝置,其特征在于,所述陣列基板還包括公共電極,所述公共電極為狹縫電極,且位于所述像素電極上方。
9.一種陣列基板的制作方法,包括形成像素電極和薄膜晶體管的步驟,所述薄膜晶體管包括源電極和漏電極,其特征在于,所述形成像素電極和薄膜晶體管的步驟包括:
形成有漏金屬層薄膜,對所述漏金屬層薄膜進行構圖工藝形成包括所述漏電極和像素電極的圖形,其中,所述像素電極具有多個狹縫。
10.根據權利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述像素電極的多個狹縫平行設置,光經過所述像素電極后變為偏振光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





