[發(fā)明專利]一種表面氰化改性的納米金屬材料及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510036769.3 | 申請日： | 2015-01-23 |
| 公開（公告）號： | CN104810529B | 公開（公告）日： | 2017-12-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 范杰;魯林方;李仁宏;易武中 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江大學(xué) |
| 主分類號： | H01M4/92 | 分類號： | H01M4/92;B01J23/42;B01J23/44;B01J23/89;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務(wù)所有限公司33100 | 代理人： | 劉曉春 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 表面 氰化 改性 納米 金屬材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種表面氰化改性的納米電極材料，其特征在于，所述的納米電極材料包含納米材料M及其表面氰基配位的配合物M-CN，配位體CN與納米材料M之間以共價鍵的形式結(jié)合，所述配合物M-CN中的CN與納米材料M的配位比為1:1，所述的納米材料M選自納米單金屬、納米金屬合金、納米金屬氧化物；所述表面氰化改性的納米電極材料的制備方法為：
將負載型納米材料M、雙氧水、腈混合，形成懸濁液并在紫外光照下攪拌10～30分鐘，反應(yīng)溫度為20～50℃，生成氰根自由基，所述的氰根自由基進攻納米材料M表面從而對納米材料M進行表面氰基修飾，在納米材料M表面生成氰基配位的配合物M-CN，制得表面氰化改性的納米電極材料，所述負載型納米材料M是將所述納米單金屬、所述納米金屬合金或者所述納米金屬氧化物負載在載體上形成的復(fù)合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面氰化改性的納米電極材料，其特征在于，所述納米材料M表面的金屬原子不超過50％與CN進行配位，形成配合物M-CN。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面氰化改性的納米電極材料，其特征在于，所述的納米單金屬選自Pt、Pd、Ru，納米合金選自PtRu、PtPd、PtAu、PtAg、PtFe、PtCo、PtNi、AuPd、AgPd、PdCo、PdNi，納米金屬氧化物為Ag2O或PdO。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的表面氰化改性的納米電極材料，其特征在于，所述的載體選自碳材料、氧化物、高分子材料。
5.一種燃料電池的陰極，其特征在于，所述的陰極包含權(quán)利要求1-4任一項所述的表面氰化改性的納米電極材料。
6.一種燃料電池，其特征在于，所述的燃料電池包含權(quán)利要求5所述的陰極。
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