[發明專利]一種大電流功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201510036757.0
• 申請日: 2015-01-26
• 公開（公告）號: CN105428342B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 孫偉;楊成標;劉婧;邢雁;李新安;王維;孫婭男;周霖
• 申請（專利權）人: 湖北臺基半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/367;H01L23/48
• 代理公司: 襄陽嘉琛知識產權事務所 42217
• 代理人: 嚴崇姚

1.一種大電流功率半導體模塊，包括散熱底板（1）、外殼下蓋（2）、外殼上蓋（16）、絕緣導熱片（3）、第一折彎電極 （5）、第二折彎電極（6）、電極（7）、第一半導體芯片（4）、第二半導體芯片（8）、鉬片、塑膠緊固件（9）、門極組件（10）以及內填充的硅凝膠或硅凝橡膠層，其特征是：所述的第一半導體芯片（4）、第二半導體芯片（8）鉬片面均朝下面的方向，即：采用正裝方式；所述的第一折彎電極（5）、第二折彎電極（6）、電極（7）均為片狀結構電極；所述的第一折彎電極（5）、第二折彎電極（6）、電極（7）在其與第一半導體芯片（4）、第二半導體芯片（8）陰極接觸部分增加了凸起臺面；所述的第一折彎電極（5）、第二折彎電極（6）、電極（7）為一次沖壓成型的電極，連接端呈90o折彎狀；所述散熱底板（1）、絕緣導熱片（3）、第一折彎電極 （5）、第二折彎電極（6）、電極（7）、第一半導體芯片（4）、第二半導體芯片（8）依次組裝后用壓力機壓緊，通過塑膠緊固件（9）和緊固螺釘壓緊，與門極組件（10）裝于外殼下蓋（2）內后用硅凝膠或硅凝橡膠灌注，加溫固化；所述外殼下蓋（2）與外殼上蓋（16）之間設有推拉式封閉結構；第一折彎電極 （5）、第二折彎電極（6）的芯片連接端分別位于電極（7）的上下兩側。

2.根據權利要求1所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的散熱底板（1）為T2材質的散熱底板，且表面光潔度為△8。

3.根據權利要求1或2 所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的外殼為由外殼下蓋（2）、外殼上蓋（16）組成，為PBT或者PPS材質的外殼。

4.根據權利要求1或2所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的第一半導體芯片（4）、第二半導體芯片（8）為直徑Ф20-40mm的電力電子功率裝置用可控硅或整流管芯片。

5.根據權利要求1或2所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的第一半導體芯片、第二半導體芯片為兩個芯片串聯的可控硅芯片或整流管芯片。

6.根據權利要求1或2所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的第一半導體芯片、第二半導體芯片為串聯的一個可控硅芯片和一個整流管芯片。

7.根據權利要求1或2所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的第一半導體芯片、第二半導體芯片為兩個共陽極連接的可控硅芯片或整流管芯片。

8.根據權利要求1或2所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的第一半導體芯片、第二半導體芯片為共陽極連接的一個可控硅芯片和一個整流管芯片。

9.根據權利要求1或2所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的第一半導體芯片、第二半導體芯片為兩個共陰極連接的可控硅芯片或整流管芯片。

10.根據權利要求1或2所述的一種大電流功率半導體模塊，其特征在于：所述的第一半導體芯片、第二半導體芯片為共陰極連接的一個可控硅芯片和一個整流管芯片。