[發明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管及制作方法、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201510035832.1
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104617151B
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 陸小勇;劉政;李小龍;田慧;孫亮;王祖強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/266
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

利用低溫多晶硅薄膜形成包括源區和漏區的有源層，所述源區用于與薄膜晶體管的源電極相接觸，所述漏區用于與薄膜晶體管的漏電極相接觸；

在所述源區和漏區的低溫多晶硅薄膜表面形成非晶硅層；

以薄膜晶體管的柵電極為掩膜板，對表面形成有所述非晶硅層的低溫多晶硅薄膜進行離子注入；

所述對表面形成有所述非晶硅層的低溫多晶硅薄膜進行離子注入之后還包括：

去除所述源區和漏區的非晶硅層。

2.根據權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述在所述源區和漏區的低溫多晶硅薄膜表面形成非晶硅層包括：

對所述源區和漏區的低溫多晶硅薄膜的表面進行非晶化處理，在所述低溫多晶硅薄膜表面形成所述非晶硅層。

3.根據權利要求2所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，對所述低溫多晶硅薄膜的表面進行非晶化處理包括：

向所述低溫多晶硅薄膜表面注入非晶化材料，使得所述低溫多晶硅薄膜表面的多晶硅處于非晶化狀態，形成所述非晶硅層。

4.根據權利要求3所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述非晶化材料為Si，Ge，C或Ar。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述非晶硅層的厚度為

6.一種低溫多晶硅薄膜晶體管，其特征在于，為采用如權利要求1-5中任一項所述的方法制作。

7.一種陣列基板，其特征在于，包括形成在襯底基板上的如權利要求6所述的低溫多晶硅薄膜晶體管。

8.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求7所述的陣列基板。