[發明專利]一種半導體制冷片參數測試裝置及多參數測量方法

有效

• 申請號: 201510035472.5
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104597387B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 陳紅巖;宋平
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: G01N25/20
• 分類號: G01N25/20
• 代理公司: 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙)33231
• 代理人: 張宇娟

1.一種半導體制冷片參數測試裝置的多參數測量方法，其特征在于：所述測試裝置包括散熱風扇(1)，銅散熱器(2)，樣品固定夾具(3)，固定導軌(4)，滾珠絲桿(5)，移動滑臺(6)，壓力鋁塊(7)，溫度測量模塊(13)，電壓測量模塊(14)，還包括一壓力測量模塊(15)、電機驅動模塊(16)、步進電機(10)，所述銅散熱器(2)與所述樣品固定夾具(3)相連，所述散熱風扇(1)，樣品固定夾具(3)安裝于固定導軌(4)上，所述樣品固定夾具(3)相對應的另一端安裝有一移動滑臺(6)，所述移動滑臺(6)中安裝有一用于移動滑臺的滾珠絲桿(5)，所述步進電機(10)通過所述電機驅動模塊(16)驅動所述滾珠絲杠(5)，所述壓力鋁塊(7)固定在與所述樣品固定夾具(3)相對的移動滑臺(6)側面上，所述銅散熱器(2)與所述溫度測量模塊(13)相連接，所述壓力鋁塊(7)與所述壓力測量模塊(15)相連接，所述電壓測量模塊(14)位于樣品固定夾具(3)上；

應用上述測試裝置的多參數測量方法包括如下步驟：

第一，將待測半導體制冷片固定于所述樣品固定夾具(3)上，通過半導體制冷片驅動模塊(17)驅動制冷片，通過所述電壓測量模塊(14)，得到制冷器兩端的電阻電壓V_R和賽貝克電壓Vs，所述溫度測量模塊(13)分別測量得到半導體制冷片冷端溫度T和熱端溫度T₀；

第二，將上述所得參數V_R、Vs和T代入到從而得到需要測量的優值系數Z；

第三，通過電機驅動模塊(16)驅動步進電機(10)，帶動滾珠絲杠(5)，推動壓力鋁塊(7)，從而對待測半導體制冷片施加不同壓力，同時所述溫度測量模塊(13)分別測量得到半導體制冷片冷端溫度T和熱端溫度T₀，將采集的T，T₀，與第二步測得的Z代入得到各個壓力下的半導體制冷片的制冷效率ε；

第四，測得半導體制冷片最大制冷效率下的冷端溫度T和熱端溫度T₀代入到計算公式從而得到單對溫差電偶的工作電壓V₀，其中S為半導體制冷片材料的賽貝克系數；

第五，將計算所得的單對溫差電偶的工作電壓V₀和測得的總電壓V＝V_R+Vs代入到式從而獲得溫差電偶的對數N。