[發明專利]壓電薄膜諧振器、濾波器和雙工器

有效

• 申請號: 201510034277.0
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104811157B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發明（設計）人: 谷口真司;西原時弘;橫山剛;坂下武
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H03H9/15
• 分類號: H03H9/15;H03H9/54
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 呂俊剛,劉久亮

1.一種壓電薄膜諧振器(100、200、400、500)，其特征在于，所述壓電薄膜諧振器(100、200、400、500)包括：

基板(10)；

壓電膜(14)，其設置在所述基板上；

下電極(12)和上電極(16)，其彼此相對，以在所述下電極(12)和所述上電極(16)之間設置所述壓電膜的至少部分；以及

插入膜(28)，其被插入到諧振區(50)中的所述壓電膜內，在所述諧振區(50)中，所述壓電膜的至少所述部分被設置在所述下電極和所述上電極之間，所述插入膜的與所述諧振區中的外圍區(52)對應的厚膜部分(28b)比所述插入膜的與所述諧振區中的中心區(54)對應的薄膜部分(28a)厚，在所述諧振區(50)中所述厚膜部分(28b)的平面形狀是沿著所述諧振區(50)的外圍的環形、或所述環形的部分被剪切的帶形。

2.根據權利要求1所述的壓電薄膜諧振器，其特征在于，所述中心區內的所述插入膜的彈性常數的溫度系數具有與所述壓電膜的彈性常數的溫度系數相反的符號。

3.根據權利要求1所述的壓電薄膜諧振器，其特征在于，所述外圍區中的所述插入膜包括楊氏模量比所述壓電膜的楊氏模量小的膜。

4.根據權利要求1所述的壓電薄膜諧振器，其特征在于，所述插入膜主要由氧化硅構成。

5.根據權利要求1所述的壓電薄膜諧振器，其特征在于，所述壓電膜主要由氮化鋁構成。

6.根據權利要求1所述的壓電薄膜諧振器，其特征在于，在所述諧振區中，在所述下電極和與所述下電極接觸的絕緣膜中的一個與所述基板之間，形成有間隔(30)。

7.根據權利要求1至5中的任一項所述的壓電薄膜諧振器，其特征在于，所述壓電薄膜諧振器還在所述諧振區中具有聲反射器(31)，該聲反射器(31)反射在所述壓電膜中傳播的聲波，并且被設置在所述下電極的與所述壓電膜相反的一側。

8.一種濾波器(40、42)，其特征在于，所述濾波器(40、42)包括：

根據權利要求1至7中的任一項所述的壓電薄膜諧振器(100、200、400、500)。

9.一種雙工器(70)，其特征在于，所述雙工器(70)包括：

發送濾波器(40)；以及

接收濾波器(42)；

其中，所述發送濾波器和所述接收濾波器中的至少一個是根據權利要求8所述的濾波器。