[發明專利]一種銀納米線透明導電電極的制備方法

有效

• 申請號: 201510034152.8
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104658700B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 高進偉;李若朋;韓兵;彭強;吳永健
• 申請（專利權）人: 華南師范大學
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;H01B5/14;H01L31/18;H01L31/0224;B05D5/12
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司44104
• 代理人: 宣國華

1.一種銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是包括以下步驟：

(1)制備高長徑比銀納米線溶液；

(2)將襯底進行親水化處理；

(3)將制備的銀納米線溶液涂覆到襯底上，干燥后，在襯底上得到銀納米線透明導電薄膜；

(4)對銀納米線透明導電薄膜與襯底進行粘附性處理；

(5)將經過粘附性處理的銀納米線透明導電薄膜在紫外光下曝光，得到與襯底具有強附著力的銀納米線透明導電電極。

2.根據權利要求1所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(1)中所述的高長徑比的銀納米線溶液的制備過程是：

(a)取乙二醇加熱至150～170℃，保持20～60min，然后將乙二醇溶液降溫至135～155℃，得溶液1；

(b)取銀鹽和聚乙烯吡咯烷酮PVP，分別溶于乙二醇中，待二者完全溶解后，得銀鹽溶液和聚乙烯吡咯烷酮PVP溶液，混合并充分攪拌，得溶液2；

(c)向溶液2中加入金屬鹵化物溶液混勻后得溶液3，將溶液3加入溶液1中，加入速度為1.5～3ml/min，加入過程中保持低速攪拌，加入完成后攪拌速度保持0～150轉/分鐘，調節反應溫度為130～145℃，反應1～3h，得溶液4，冷卻至室溫；

(d)將上述冷卻后的溶液4稀釋后，離心清洗，除去上清液，所得沉淀物分散在乙醇中，即制備獲得高長徑比的銀納米線溶液。

3.根據權利要求2所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(b)中銀鹽溶液的濃度為8～20g/L，聚乙烯吡咯烷酮PVP溶液的濃度為6～25g/L，銀鹽溶液與聚乙烯吡咯烷酮PVP溶液的濃度比為0.8～1.3：1，所述的銀鹽為硝酸銀或醋酸銀。

4.根據權利要求2所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(c)中所述的金屬氯化物為氯化銅、氯化鐵或氯化鋁，其濃度為0.6～6mmol/L，加入量占溶液2的0.3～0.5％；步驟(c)中溶液1與溶液3的體積比為1～2：1；步驟(c)中低速攪拌時的轉速為200～300轉/分鐘。

5.根據權利要求2所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(d)中稀釋采用乙醇，離心清洗時采用乙醇或丙酮；制備獲得高長徑比的銀納米線溶液的濃度為0.2～0.6mg/mL；銀納米線溶液中銀納米線的直徑為60～250nm，長度為50～300μm，長徑比為500～1000。

6.根據權利要求1所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(2)中將襯底進行親水化處理是：將襯底依次在丙酮、乙醇和去離子水中超聲清洗10～20分鐘，干燥后放入等離子清洗機清洗2～5分鐘，清洗后的襯底具有親水表面。

7.根據權利要求1所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(2)中所述的襯底為聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亞胺PI或玻璃。

8.根據權利要求1所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(4)中對銀納米線透明導電薄膜與襯底進行粘附性處理是將UV膠和無水乙醇依次涂敷到銀納米線透明導電薄膜。

9.根據權利要求1所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(5)中紫外燈的功率為5～1000W，曝光時間為10～60s。

10.根據權利要求9所述的銀納米線透明導電電極的制備方法，其特征是：步驟(5)中將經過粘附性處理的銀納米線透明導電薄膜真空條件下在紫外光下曝光。