[發明專利]一種存儲器裝置及提供該存儲器裝置的方法

有效

• 申請號: 201510033933.5
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN104966717B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 龍翔瀾;吳昭誼;簡維志
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器裝置，包括：

一第一組存儲單元以及一第一覆蓋材料，該第一覆蓋材料位于該第一組存儲單元上；

一第二組存儲單元以及一第二覆蓋材料，該第二覆蓋材料位于該第二組存儲單元上；以及

該第一覆蓋材料不同于該第二覆蓋材料；

其中該第一組存儲單元的多個存儲單元具有一存儲單元結構，且該第二組存儲單元的多個存儲單元具有共同的一存儲單元結構；該第一組存儲單元以及該第二組存儲單元中的這些存儲單元具有多個存儲器元件，這些存儲器元件包括相變化材料。

2.根據權利要求1所述的裝置，該第一覆蓋材料包括氮化硅。

3.根據權利要求2所述的裝置，該第二覆蓋材料包括氮化硅，該第二覆蓋材料的氮化硅的密度大于該第一覆蓋材料的氮化硅的密度。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中該第一組存儲單元以及該第二組存儲單元具有多個存儲器元件，這些存儲器元件包括一可編程電阻存儲器材料，且該第一覆蓋材料以及該第二覆蓋材料接觸對應該第一組存儲單元與該第二組存儲單元的這些存儲器元件。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中：

多個存儲單元位于該第一組存儲單元與該第二組存儲單元中，這些存儲單元具有包括一鍺銻碲Ge_xSb_yTe_z相變化材料的多個存儲器元件；

該第一覆蓋材料包括氮化硅；以及該第二覆蓋材料包括密度高于該第一覆蓋材料的氮化硅，且在較該第一覆蓋材料的氮化硅高的溫度下沉積。

6.根據權利要求2所述的裝置，其中該第一覆蓋材料包括一材料，該材料具有大于1.8以及小于2.016的折射率。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中該第一覆蓋材料包括一材料，該材料具有大于2.4克/立方厘米以及小于3.2克/立方厘米的密度。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中該第一覆蓋材料包括一第一氮化硅層，該第二覆蓋材料包括一第二氮化硅層，該第二氮化硅層的密度大于該第一氮化硅層的密度；以及

位于該第一組存儲單元與該第二組存儲單元中的這些存儲單元具有包括鍺銻碲Ge_xSb_yTe_z的多個存儲器元件。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中該第一組存儲單元的多個存儲單元包括一頂電極、一底電極以及一存儲器材料，該存儲器材料位于該頂電極以及該底電極之間，該第一覆蓋材料接觸該存儲器材料。

10.根據權利要求1所述的裝置，包括一電路以應用一寫入算法至第一組存儲單元，且應用不同的另一寫入算法至第二組存儲單元。

11.一種存儲器裝置，包括：

一第一組存儲單元，具有一存儲單元結構以及氮化硅的一第一覆蓋層，該存儲單元結構具有包括相變化材料的多個存儲器元件，該第一覆蓋層接觸該第一組存儲單元中的這些存儲器元件；

一第二組存儲單元，具有一存儲單元結構以及氮化硅的一第二覆蓋層，該存儲單元結構具有包括相變化材料的多個存儲器元件，該第二覆蓋層接觸該第二組存儲單元中的這些存儲器元件，該第一組存儲單元與該第二組存儲單元僅差異于該第一覆蓋層與該第二覆蓋層的材料；

該第一覆蓋層中的氮化硅的密度小于該第二覆蓋層中的氮化硅的密度；以及

一電路，調整該電路以施加相較于該第二組存儲單元高速的寫入操作至該第一組存儲單元。

12.一種提供一存儲器裝置的一第一組存儲單元以及一第二組存儲單元的方法，其中該第一組存儲單元具有第一操作存儲器特性，該第二組存儲單元具有第二操作存儲器特性，包括：

使用一第一覆蓋材料形成一第一覆蓋層于該第一組存儲單元上；

使用一第二覆蓋材料形成一第二覆蓋層于該第二組存儲單元上，該第二覆蓋材料不同于該第一覆蓋材料；以及

形成該第一組存儲單元以及該第二組存儲單元以具有相同的存儲單元結構；

其中，該第一組存儲單元以及該第二組存儲單元中的這些存儲單元具有多個存儲器元件，這些存儲器元件包括相變化材料。