[發(fā)明專利]背接觸太陽能電池的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510033905.3
• 申請日: 2015-01-23
• 公開（公告）號: CN105870248B
• 公開（公告）日: 2017-08-29
• 發(fā)明（設計）人: 曹韻國;賴光杰;白玉磐;王建竣
• 申請（專利權(quán)）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海申新律師事務所31272
• 代理人: 吳俊

1.一種背接觸太陽能電池的制造方法，其特征在于，包含：

以一熱擴散制程同時于一半導體基板的一背表面形成一第一摻雜區(qū)以及于該半導體基板的一受光面形成一第二摻雜區(qū)；

以一第一蝕刻制程移除該第二摻雜區(qū)；

以一第一離子布植制程對該背表面的一第一子區(qū)域進行摻雜以形成一背表面電場區(qū)；

于該第一蝕刻制程后以一第二蝕刻制程對已移除該第二摻雜區(qū)的該受光面進行再蝕刻以提高該受光面的抗反射率；以及

以一金屬化制程于該背表面上形成互相分離的一第一電極及一第二電極，

其中該第一子區(qū)域之外的該第一摻雜區(qū)形成一射極區(qū)，且該第一電極與該第二電極分別于該射極區(qū)與該背表面電場區(qū)連接。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，該第一離子布植制程為對該第一子區(qū)域內(nèi)的該第一摻雜區(qū)進行高濃度摻雜，使該第一子區(qū)域的電性反轉(zhuǎn)而形成該背表面電場區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，于該第二蝕刻制程之后更包含一步驟：進行的一第二離子布植制程，于該半導體基板的該受光面形成一前表面電場區(qū)。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，于該第一離子布植制程之前更包含一步驟：以一第三蝕刻制程移除該第一子區(qū)域內(nèi)的第一摻雜區(qū)。

5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，該第三蝕刻制程包含以雷射移除至少該第一子區(qū)域內(nèi)的該第一摻雜區(qū)而形成一第一凹陷區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，該射極區(qū)包含該第一凹陷區(qū)的一底面區(qū)但不包含該第一凹陷區(qū)的一側(cè)壁區(qū)。

7.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，該第三蝕刻制程的雷射移除區(qū)域大于該第一子區(qū)域。

8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，該射極區(qū)包含該第一凹陷區(qū)的一底面區(qū)的中心區(qū)域但不包含該第一凹陷區(qū)的一側(cè)壁區(qū)且不包含與該底面區(qū)與該側(cè)壁區(qū)鄰接的外圍區(qū)域。

9.如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，于該第二蝕刻制程之后更包含一步驟：進行一第二離子布植制程于該半導體基板的受光面形成一前表面電場區(qū)。

10.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，該第三蝕刻制程更包含形成一第一子遮罩層于該背表面上，并移除該第一子蝕刻遮罩層的一部分，該第二蝕刻制程更包含形成一第二子蝕刻遮罩層于該背表面上，而且以殘留的該第一子蝕刻遮罩層和該第二子蝕刻遮罩層共同作為蝕刻該受光面時的蝕刻遮罩層。