[發明專利]一種減輕植物組培外植體污染的方法有效
| 申請號: | 201510033462.8 | 申請日: | 2015-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN104521762B | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發明(設計)人: | 劉福平 | 申請(專利權)人: | 福建省亞熱帶植物研究所 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361006 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 減輕 植物 組培外植體 污染 方法 | ||
技術領域
本發明屬農林領域的植物組織培養技術,具體涉及降低植物組培外植體培養污染率的方法。
背景技術
植物組織培養技術種苗生產、脫除病毒、種質改良等具有廣闊的市場前景。目前植物組織培養技術環節中,外植體污染的防治是組織培養成功的主要難點。外植體所攜帶微生物包括表面雜菌和內生菌,表面雜菌主要是真菌和細菌,通過短時間的浸泡消毒比較容易清除,首選的外植體消毒方法都是浸泡法,先用70%酒精浸泡10-30s,0.1%氯化汞浸8-12min或用2%次氯酸鈉(飽和次氯酸鈣溶液)浸泡15-20?min,氯化汞對人毒性極強,對環境危害大,次氯酸鹽消毒效果也不盡人意。內生菌存在于組織內部,主要是細菌,液體消毒劑短時間不易滲入殺滅,而內生菌潛伏期長(5天以上),造成培養期間大面積污染,雖然有在培養基添加抗生素,但抗生素殺菌范圍窄,微生物易產生抗藥性。總之,外植體除菌目前仍沒理想的方法,外植體污染的防治是組織培養成功的主要難點。
目前已經公告的專利,一些外植體消毒劑專利仍使用氯化汞或次氯酸鈉,如公布號?101933459A?、1628507A、?102499077A、101138317?A、102326514?A、102349438A、102577975A、?101946809?A,不含汞或次氯酸鈉(鈣)的外植體消毒劑專利有公布號?101632392、?101461329、?102742506A,上述專利均采用浸泡消毒法。將殺菌劑加入培養基抑菌的專利有公布號:?101946809A和?101138317。公布號103283604A采用無菌去離子水浸泡百合外植體,可以使外植體表層細胞破裂,內生菌溢出,再浸泡消毒除菌。
發明內容
本發明以衣膜(混合殺菌劑)包囊整個組培外植體再接種到培養基培養,衣膜透水透氣,對植物細胞沒明顯傷害,培養基營養及激素能被外植體吸收,細胞呼吸不受影響。與常規的外植體消毒相比,具時間上和空間上的優勢,(1)與常規的短時間浸泡消毒不同,本發明衣膜包囊整個外植體接種,殺菌劑有較長時間(整個培養期間)作用于外植體表面抑殺雜菌,也有足夠時間滲入組織殺滅內生菌。(2)抑制外植體污染也經常在培養基添加抗菌劑,該方法只有與培養基接觸的外植體部分,抗菌劑才起抑殺作用,本發明衣膜包囊整個外植體,防止雜菌繁殖擴散到培養基,尤其是衣膜封堵了外植體切面,防止內生菌繁殖擴散到培養基造成污染。由于本發明殺菌劑應用上具時間上和空間上的優勢,衣膜劑可含較低的殺菌劑使用劑量,對植物組織傷害小,還可選用低毒環保的殺菌劑。
本發明提供的技術方案如下:
一種含殺菌劑衣膜包囊植物組培外植體方法,其特征在于,衣膜劑透氣、透水,透光性好,不與培養基成分發生反應,對植物細胞傷害小。成膜劑采用海藻酸鈉,衣膜劑的營養成分、激素、酸堿度與培養基的營養成分、激素、酸堿度一致,殺菌劑在衣膜劑酸堿度下具殺菌能力。
所述的成膜劑海藻酸鈉濃度2%-5%,海藻酸鈉交聯固化劑為2%氯化鈣溶液。殺菌劑一種或幾種組合,在衣膜劑中的濃度分別為:抗生素0.005%-0.03%、3-羥基-5-甲基異惡唑(惡霉靈)0.02-0.2%、3-(二甲氨基)丙基氨基甲酸丙酯鹽酸鹽(霜霉威鹽酸鹽)0.1-0.5%、三乙磷酸鋁0.1-0.5%、甲酚磺酸0.05-0.5%、異噻唑啉酮0.05-0.5%、十二烷基二甲基芐基溴化銨(新潔爾滅)0.02-0.2%、重氮烷基咪唑脲(極美-Ⅱ)0.1-0.5%、亞硫酸氫鈉0.1-0.5%、六亞甲基四胺(烏洛托品)0.1-0.5%。
海藻酸鈉衣膜劑配制方法:海藻酸鈉先用少量水溶化,附加的營養成分、植物激素與培養基成分相同,能耐高壓滅菌的成分(包括殺菌劑)按常規方法配成水溶液,與海藻酸鈉混合,定容,調pH與培養基相同,高壓滅菌,得粘稠液冷卻待用。不耐高壓滅菌的營養成分、植物激素、殺菌劑混合液過濾除菌,加入已經高壓滅菌的海藻酸鈉,攪拌混勻待用。氯化鈣單獨高壓滅菌。接種時將已經消毒的外植體泡入含附加成分的海藻酸鈉衣膜劑,取出輕輕抖掉多余衣膜劑粘稠液,粘有衣膜劑的外植體投入氯化鈣溶液,固化數分鐘,取出投入無菌水洗去多余氯化鈣,在無菌濾紙上吸去無菌水,接種在培養基表面,輕壓外植體使其稍陷入培養基瓊脂塊。
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