[發明專利]防止電路過電壓的保護裝置和包含此類裝置的電源構件

在審

• 申請號: 201510031027.1
• 申請日: 2015-01-21
• 公開（公告）號: CN104795808A
• 公開（公告）日: 2015-07-22
• 發明（設計）人: 多米尼克·圖尼耶;詹佛朗哥·德·帕爾馬
• 申請（專利權）人: 梅森法國SB公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 歸瑩;張穎玲

1.一種用于防止電路(14)過電壓的裝置(17)，所述裝置(17)包括非線性電阻(18)和齊納二極管(22)，所述非線性電阻(18)被設計為連接在所述電路(14)的電源(16)的端子之間，所述齊納二極管(22)和所述非線性電阻(18)各自包括第一連接端(18a、22a)和第二連接端(18b、22b)，所述齊納二極管的第一端(22a)被連接到所述非線性電阻的第一端(18a)，

其特征在于，所述裝置還包括電流限制器組件(20)，所述電流限制器組件(20)能夠對通過自身的電流的強度進行限制，所述電流限制器組件(20)被連接在所述非線性電阻的第二端(18b)和所述齊納二極管的第二端(22b)之間。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述齊納二極管(22)被連接在所述電路(14)的端子之間。

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述電流限制器組件(20)包括諸如JFET晶體管或MOS晶體管之類的場效應晶體管。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述場效應晶體管包括由具有寬帶隙的材料制成的半導體襯底，所述具有寬帶隙的材料對應于硅或碳化硅。

5.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述場效應晶體管是具有由碳化硅制成的襯底的VJFET(垂直結型FET)。

6.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述齊納二極管(22)是分立式鉗位(Transil)二極管。

7.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述非線性電阻(18)是變阻器。

8.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述非線性電阻(18)的額定電壓(Vn)大于由所述電源(16)提供的電壓(V1)。

9.根據權利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述電流限制器組件(20)能夠將通過自身的電流的強度限制為小于或等于閾值(S1)的值，并且強度大于或等于所述閾值(S1)的電流能夠通過所述齊納二極管(22)。

10.一種電源構件(12)，包括電源(16)和用于防止電路過電壓的裝置(17)，

其特征在于，所述裝置(17)是根據權利要求1或2所述的裝置，并且所述非線性電阻(18)被連接在所述電源的端子之間。