[發(fā)明專利]功率器件的制備方法和功率器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510030728.3 | 申請日: | 2015-01-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105870015B | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李理;馬萬里;趙圣哲 | 申請(專利權(quán))人: | 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/336 | 分類號(hào): | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司: | 北京友聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 器件 制備 方法 | ||
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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