[發明專利]一種制造整流芯片的方法及整流芯片

在審

• 申請號: 201510030332.9
• 申請日: 2015-01-21
• 公開（公告）號: CN104538301A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 汪良恩;張小明;安起躍
• 申請（專利權）人: 安徽安芯電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/22;H01L21/304;H01L21/265;H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種制造整流芯片的方法，其特征在于，包括：

在第一預設溫度、第一預設摻雜時間條件下，通過熱擴散法將磷原子摻入晶圓的襯底，以使所述襯底中磷原子的第一摻雜濃度為10¹³cm^-3-10¹⁸cm^-3；

在第二預設溫度、第二預設摻雜時間條件下，通過熱擴散法將磷原子摻入晶圓的襯底，以使所述襯底中磷原子的第二摻雜濃度為10¹⁸cm^-3-10²⁰cm^-3；

通過研磨方式，對所述晶圓進行減薄，以使所述晶圓的厚度為190um-195um；

在第三預設溫度、第三預設摻雜時間條件下，通過熱擴散法或離子注入法將硼原子摻入晶圓的襯底，以使所述襯底中硼原子的摻雜濃度大于或等于10²⁰cm^-3；

通過向所述襯底摻入磷原子和硼原子，以形成包含P⁺-N-N^--N⁺結構的晶圓；

將所述晶圓加工為芯片，并將所述芯片封裝為整流芯片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一預設溫度的數值范圍為1100℃-1150℃，所述第一摻雜時間為6h-8h；

所述第二預設溫度的數值范圍為1100℃-1150℃，所述第二摻雜時間為6h-8h。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第三預設溫度的數值范圍為1250℃-1280℃，所述第三摻雜時間為12h-16h。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述整流芯片的正向壓降為0.8V-0.9V。

5.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述襯底的電導率為0.0115S.m^-1。

6.根據權利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述對所述晶圓進行研磨后，所述晶圓的電導率為0.23S.m^-1。

7.一種整流芯片，其特征在于，包括：

襯底；

所述襯底包括P型摻雜區、襯底N型區、第一N型摻雜區及第二N型摻雜區；

所述第一N型摻雜區中磷原子的第一摻雜濃度為10¹³cm^-3-10¹⁸cm^-3；

所述第二N型摻雜區中磷原子的第二摻雜濃度為10¹⁸cm^-3-10²⁰cm^-3；

所述整流芯片的厚度為190um-195um；

所述整流芯片為P⁺-N-N^--N⁺結構；

所述P型摻雜區中硼原子的摻雜濃度大于或等于10²⁰cm^-3。

8.根據權利要求7所述的整流芯片，其特征在于，所述整流芯片的正向壓降為0.8V-0.9V。

9.根據權利要求7或8所述的整流芯片，其特征在于，所述襯底的電導率在0.0115S.m^-1。

10.根據權利要求7或8所述的整流芯片，其特征在于，所述整流芯片的電導率為0.23S.m^-1。