[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510030146.5 | 申請日： | 2007-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN104617199A | 公開（公告）日： | 2015-05-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李尚烈 | 申請（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;董文國 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種半導體發(fā)光器件，包括：襯底；在所述襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括：第一半導體層、在所述第一半導體層上的第二半導體層、以及在所述第一半導體層和所述第二半導體層之間的有源層；和其中所述襯底具有至少一個具有預(yù)定傾角的側(cè)表面。
本申請是申請日為2007年9月20日、申請?zhí)枮?00780033885.3、發(fā)明名稱為“發(fā)光二極管及其制造方法”的中國專利申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
實施方案涉及發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)
通過在襯底上形成化合物半導體之后分離多個單元芯片的劃片工藝來制造發(fā)光二極管(LED)。
劃片工藝將是將激光輻照到襯底或化合物半導體上。在激光輻照期間，與利用激光輻照的劃片區(qū)域相鄰接的襯底或化合物半導體可受到損傷。
由LED的有源層產(chǎn)生的一部分光通過所述劃片區(qū)域發(fā)射至外部。然而，光難以通過襯底或化合物半導體的被激光損傷的部分，這最終降低了LED的光效率。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
實施方案提供發(fā)光二極管(LED)及其制造方法。
實施方案提供具有改善的光效率的LED及其制造方法。
技術(shù)方案
一個實施方案提供一種制造發(fā)光二極管(LED)的方法，包括：形成半導體層；在所述半導體層上形成掩模層；使激光輻照到掩模層的劃片區(qū)域上以將所述半導體層分為多個發(fā)光二極管；蝕刻所述劃片區(qū)域；移除掩模層；和分離所述多個發(fā)光二極管。
一個實施方案提供一種制造發(fā)光二極管的方法，包括：在襯底上形成半導體層；在所述半導體層上形成掩模層；使激光輻照到襯底的劃片區(qū)域上以將襯底分為多個發(fā)光二極管；蝕刻所述劃片區(qū)域；移除掩模層；和分離所述多個發(fā)光二極管。
一個實施方案提供一種發(fā)光二極管，包括：襯底；在所述襯底上的半導體層；在所述半導體層上的電極，其中所述襯底或半導體層具有至少一個具有預(yù)定傾角的蝕刻后的側(cè)表面。
本發(fā)明還涉及以下方案。
1.一種制造發(fā)光二極管(LED)的方法，所述方法包括：
形成半導體層；
在所述半導體層上形成掩模層；
使激光輻照到所述掩模層的劃片區(qū)域上，以將所述半導體層分為多個發(fā)光二極管；
蝕刻所述劃片區(qū)域；
移除所述掩模層；和
分離所述多個發(fā)光二極管。
2.根據(jù)方案1所述的方法，其中通過濕蝕刻和干蝕刻中的至少一種來實施所述劃片區(qū)域的蝕刻。
3.根據(jù)方案2所述的方法，其中所述濕蝕刻使用第一蝕刻物質(zhì)來實施，所述第一蝕刻物質(zhì)對所述劃片區(qū)域的蝕刻選擇性比對所述掩模層的蝕刻選擇性高。
4.根據(jù)方案3所述的方法，其中所述第一蝕刻物質(zhì)包括鹽酸(HCl)、硝酸(HNO
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