[發(fā)明專利]表面電荷轉(zhuǎn)移摻雜調(diào)控Ti?O薄膜表面能級能態(tài)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510030104.1
• 申請日: 2015-01-21
• 公開（公告）號: CN104562002B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發(fā)明（設計）人: 萬國江;賴欣;李蘋;郝國明;黃楠
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00;C23C14/35;C23C22/02
• 代理公司: 成都博通專利事務所51208
• 代理人: 陳樹明

1.一種表面電荷轉(zhuǎn)移摻雜調(diào)控Ti-O薄膜表面能級能態(tài)的方法，其步驟是：

A、利用非平衡磁控濺射系統(tǒng)在拋光的純鈦表面沉積Ti-O薄膜，得到純鈦表面上沉積有Ti-O薄膜的材料；

B、將A步的材料放入濃度為0.04～0.06mol/L的Na₂CO₃溶液中浸泡30～60min，取出，70～110℃真空干燥；

C、將100份質(zhì)量的多巴胺與1份質(zhì)量的聚合引發(fā)劑在無氧環(huán)境下溶解于pH＝8.0～9.0的三羥甲基氨基甲烷緩沖溶液中，使多巴胺的濃度為0.20～0.26mol/L；

D、將B步得到的材料放入C步的溶液中6～12h，并同時緩慢通入氧氣，多巴胺聚合成聚多巴胺并沉積在Ti-O薄膜的表面，取出、晾干，紫外光照30～60min；

E、將D步得到的材料，置于pH＝9～12的堿性溶液中24～48h，超聲清洗3～4次，即得。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種表面電荷轉(zhuǎn)移摻雜調(diào)控Ti-O薄膜表面能級能態(tài)的方法，其特征在于：所述A步中非平衡磁控濺射系統(tǒng)在拋光的純鈦表面沉積Ti-O薄膜的沉積參數(shù)為：直流電流2.5～3.0A、沉積時間8～10min、基體偏壓-140～-160V、靶基距75～80mm、Ar/O比為60/13～60/15。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種表面電荷轉(zhuǎn)移摻雜調(diào)控Ti-O薄膜表面能級能態(tài)的方法，其特征在于：所述C步中的聚合引發(fā)劑是(NH₄)₂S₂O₈或H₂O₂。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種表面電荷轉(zhuǎn)移摻雜調(diào)控Ti-O薄膜表面能級能態(tài)的方法，其特征在于：所述E步中的堿性溶液是NaOH溶液、KOH溶液或Ba(OH)₂溶液。