[發明專利]一種提高熱蒸發制備AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段時效性的方法在審
| 申請號： | 201510029391.4 | 申請日： | 2015-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN104593723A | 公開（公告）日： | 2015-05-06 |
| 發明（設計）人： | 柳存定;李斌成;孔明東;郭春 | 申請（專利權）人： | 中國科學院光電技術研究所 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/26;G02B1/10 |
| 代理公司： | 無 | 代理人： | 無 |
| 地址： | 610209*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 蒸發 制備 alf3 薄膜 深紫 以及 真空 紫外 波段 時效性 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高熱蒸發制備AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段時效性的方法，其特征在于實現步驟如下：
步驟(1)、在高真空鍍膜機中利用電阻加熱蒸發方法蒸發AlF3制備AlF3薄膜，電阻加熱蒸發通過加熱金屬坩堝實現，金屬坩堝由鎢、鉬或者鉭材料制備；
步驟(2)、以AlF3作為低折射率材料，以其他氟化物作為高折射率材料制備具有特定性能的光學膜系，AlF3與高折射率材料的厚度通過計算機優化確定，薄膜厚度可以通過石英晶體振蕩光學控制方法控制；
步驟(3)、在膜系表面沉積特定厚度膜層MgF2，提高AlF3薄膜深紫外波段的時效性，所需的MgF2材料的厚度在30nm以上。
2.根據權利要求1所述的一種提高熱蒸發制備AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段時效性的方法，其特征在于：可以將靠近表面的至少一層AlF3膜層轉換為MgF2膜層，并通過計算機優化MgF2薄膜厚度實現。
3.根據權利要求1所述的一種提高熱蒸發制備AlF3薄膜的深紫外以及真空紫外波段時效性的方法，其特征在于：在深紫外波段可以利用SiO2膜層替代MgF2膜層提高以AlF3為低折射率材料的膜系的時效性。
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