[發(fā)明專利]一種用于高能離子注入的復(fù)合掩膜的去除方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510029323.8
• 申請(qǐng)日: 2015-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN104616974B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 施長(zhǎng)治;林春
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/265;G03F7/42;G03F7/20
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司31213
• 代理人: 郭英

1.一種用于碲鎘汞的注入能量大于300keV的高能離子注入的復(fù)合掩膜的去除方法，所述的復(fù)合掩膜的底層為注入阻擋層(1)，中部為具有掩膜圖形的光致抗蝕劑掩膜層(2)，上層為犧牲介質(zhì)層(3)；其特征在于：復(fù)合掩膜的去除方法包括以下步驟：

1)將離子注入后的芯片用去離子水清洗干凈，然后浸入犧牲介質(zhì)層(3)腐蝕液中腐蝕，直至犧牲介質(zhì)膜去除干凈，用去離子水漂洗干凈；

2)用紫外線光刻機(jī)對(duì)芯片無掩膜曝光60～120秒，然后用顯影液浸泡1～3分鐘，去除光致抗蝕劑掩膜層(2)，再用去離子水漂洗干凈；

3)將芯片浸入注入阻擋層(1)腐蝕液中腐蝕，直至注入阻擋層介質(zhì)膜去除干凈，用去離子水漂洗干凈。