[發明專利]薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201510028826.3 | 申請日: | 2015-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN104538410B | 公開(公告)日: | 2017-10-13 |
| 發明(設計)人: | 王明 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L23/544;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司11243 | 代理人: | 許靜,黃燦 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種薄膜晶體管陣列基板及顯示裝置。
背景技術
DGS(Data Gate Short,柵線和數據線短接)是薄膜晶體管液晶顯示器件的常見不良之一。而目前檢測DGS的手段非常有限,只有在薄膜晶體管陣列基板剛做完的時候,在產線內檢測DGS。當組成模組后,如果發生DGS,檢測手段非常有限,甚至無法準確找到發生DGS的位置。而且在產品開發的過程中如果無法找到DGS的發生位置,就會耽誤產品的開發進程。
發明內容
本發明提供一種薄膜晶體管陣列基板,用以檢測DGS的發生位置。
本發明還通過一種顯示裝置,包括如上所述的薄膜晶體管陣列基板,用以提高產品良率。
為解決上述技術問題,本發明實施例中提供一種薄膜晶體管陣列基板,包括多條柵線和多條數據線,還包括:
第一檢測線,用于傳輸第一檢測信號;
與所述柵線或數據線一一對應設置并電性連接的第一單向導通元件,所述第一單向導通元件的另一端與所述第一檢測線電性連接;
第一報警元件,當所述第一單向導通元件與柵線一一對應設置時,所述第一報警元件與數據線一一對應設置,并電性連接,當所述第一單向導通元件與數據線一一對應設置時,所述第一報警元件與柵線一一對應設置,并電性連接,所述第一報警元件用于接收第一檢測信號,并輸出相應的報警信號。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,所述第一單向導通元件與數據線一一對應設置;
所述薄膜晶體管陣列基板還包括:
第二檢測線,用于傳輸第二檢測信號;
與柵線一一對應設置并電性連接的第二單向導通元件,所述第二單向導通元件的另一端與所述第二檢測線電性連接;
與數據線一一對應設置并電性連接的第二報警元件,所述第二報警元件用于接收第二檢測信號,并輸出相應的報警信號。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,所述第一檢測線與柵線為同層結構,所述第二檢測線與數據線為同層結構。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,所述第一單向導通元件和第二單向導通元件為二極管。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,數據線和第一檢測線作為所述第一單向導通元件的兩個電極;
柵線和第二檢測線作為所述第二單向導通元件的兩個電極。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,所述第一單向導通元件和第二單向導通元件的P型半導體層為同層結構,所述第一單向導通元件和第二單向導通元件的N型半導體層為同層結構。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,所述第一報警元件和第二報警元件為發光元件。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,所述第一報警元件和第二報警元件為有機發光二極管。
如上所述的薄膜晶體管陣列基板,優選的是,所述第一報警元件的底電極與柵線為一體結構,所述第二報警元件的底電極與數據線為一體結構。
本發明實施例中還提供一種顯示裝置,包括如上所述的薄膜晶體管陣列基板。
本發明的上述技術方案的有益效果如下:
上述技術方案中,在陣列基板上設置有檢測線,用于傳輸檢測DGS的信號,當發生DGS時,檢測信號通過單向導通元件從柵線(或數據線)輸入,從數據線(或柵線)輸出,并在數據線(或柵線)端設置報警元件,報警元件接收檢測信號,輸出相應的報警信號。其中,單向導通元件與柵線(或數據線)的位置一一對應,報警元件與數據線(或柵線)的位置一一對應,通過獲取所述報警信號,即可確定發生DGS的位置。即使組裝模組后,只需關閉模組,輸入檢測信號,就可以進行DGS檢測。單向導通元件的設置,使得檢測組件的設置不會影響模組的正常工作。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動性的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1表示本發明實施例中薄膜晶體管陣列基板的俯視圖一;
圖2表示本發明實施例中薄膜晶體管陣列基板的俯視圖二;
圖3表示圖2的局部示意圖;
圖4-圖8表示本發明實施例中薄膜晶體管陣列基板的制作過程示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





