[發(fā)明專利]陣列基板及顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510028707.8
• 申請(qǐng)日: 2015-01-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104516167A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田允允;崔賢植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343;H01L23/552
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 柴亮;張?zhí)焓?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著顯示器制造技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器技術(shù)發(fā)展迅速，已經(jīng)逐漸取代了傳統(tǒng)的顯像管顯示器而成為未來(lái)平板顯示器的主流。在液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域中，TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器)以其大尺寸、高度集成、功能強(qiáng)大、工藝靈活、低成本等優(yōu)勢(shì)而廣泛應(yīng)用于電視機(jī)、電腦、手機(jī)等領(lǐng)域。

其中，如ADS模式(高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換模式)的顯示面板通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的顯示面板是由陣列基板(即TFT基板)和彩膜基板(即CF基板)對(duì)盒組裝并灌注液晶制成。一般的，如圖1所示，所述陣列基板上形成有柵線2(即掃描線)的圖形、數(shù)據(jù)線1(即信號(hào)線)的圖形、薄膜晶體管5的圖形、過(guò)孔的圖形以及像素電極(即顯示電極)的圖形和公共電極的圖形，其中，多根柵線2及多根數(shù)據(jù)線1交叉定義若干個(gè)像素區(qū)A，其中，在像素電極6和公共電極3一個(gè)為板狀電極，一個(gè)為狹縫電極，且狹縫電極位于板狀電極上方(本發(fā)明中以像素電極6為板狀電極，公共電極3為狹縫電極為例進(jìn)行描述)。需要說(shuō)明的是，在數(shù)據(jù)線1所在層與像素電極6所層之間設(shè)置有第一絕緣層11(需要說(shuō)明的是，該第一絕緣層11在有的陣列基板中也是可以沒(méi)有的)，在像素電極6所在層與公共電極3所在層之間設(shè)置有第二絕緣層12。所述彩膜基板上形成有黑矩陣(BM)圖形、RGB圖形等。

如圖1、2所示，像素電極6的圖形一般與數(shù)據(jù)線1的圖形相隔一段距離，因此像素電極6與數(shù)據(jù)線1之間、公共電極3與數(shù)據(jù)線1之間會(huì)形成電場(chǎng)。但是像素電極6與數(shù)據(jù)線1之間的距離很小，故產(chǎn)生的電場(chǎng)的影響也很小，主要是數(shù)據(jù)線1與狹縫狀的公共電極3之間產(chǎn)生的電場(chǎng)會(huì)導(dǎo)致每根數(shù)據(jù)線1的上方及兩側(cè)的液晶分子無(wú)法有效偏轉(zhuǎn)，造成漏光的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)中通常在形成公共電極3的同時(shí)在與數(shù)據(jù)線1所對(duì)應(yīng)的位置形成屏蔽電極4(該屏蔽電極4實(shí)質(zhì)也是公共電極3的一部分，只不過(guò)由于設(shè)置在數(shù)據(jù)線1上方用于屏蔽數(shù)據(jù)線1，故稱之為屏蔽電極4)，該屏蔽電極4與公共電極3接同樣的信號(hào)，用于屏蔽數(shù)據(jù)線1，以防止數(shù)據(jù)線1與共公共電極3之間形成電場(chǎng)，但同時(shí)會(huì)導(dǎo)致屏蔽電極4與數(shù)據(jù)線1之間形成較大的電容，故數(shù)據(jù)線1上的數(shù)據(jù)電壓信號(hào)將會(huì)對(duì)屏蔽電極4上的信號(hào)產(chǎn)生影響，進(jìn)而造成公共電極3上的公共電極3信號(hào)受到干擾，且波動(dòng)很大，產(chǎn)生Greenish?flicker以及負(fù)載偏大等不良。而且同時(shí)，由于屏蔽電極4和公共電極3是相同材料的，也就說(shuō)屏蔽電極4是透光的，因此需要在彩膜基板上與屏蔽電極4對(duì)應(yīng)的位置形成黑矩陣，而且彩膜基板和陣列基板在對(duì)盒時(shí)會(huì)出現(xiàn)不可避免的偏差，因此所形成的黑矩陣的寬度較寬，從而造成顯示面板的開(kāi)口率下降。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括，針對(duì)現(xiàn)有的陣列基板存在的上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種大大降低陣列基板上屏蔽電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，同時(shí)不影響顯示面板開(kāi)口率的陣列基板及顯示裝置。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，包括：基底，以及依次設(shè)置在基底上的數(shù)據(jù)線、第一電極、第二電極，以及設(shè)置數(shù)據(jù)線上方的屏蔽電極；

所述屏蔽電極內(nèi)形成有與所述數(shù)據(jù)線位置對(duì)應(yīng)的第一開(kāi)口，所述屏蔽電極與所述第二電極同層設(shè)置，且兩者之間無(wú)電場(chǎng)或形成弱電場(chǎng)。

優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線下方的遮光條；

所述遮光條與所述屏蔽電極在基底上的投影區(qū)域完全重合，用于防止來(lái)自背光源的光從屏蔽電極所在位置透過(guò)。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述遮光條內(nèi)形成有與所述數(shù)據(jù)線位置對(duì)應(yīng)的第二開(kāi)口，所述第二開(kāi)口的寬度等于所述數(shù)據(jù)線的寬度。

更進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第一開(kāi)口的寬度等于所述第二開(kāi)口的寬度。

優(yōu)選的是，所述遮光條與所述第二電極之間無(wú)電場(chǎng)或形成弱電場(chǎng)。

優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括設(shè)置在基底上的薄膜晶體管，

所述遮光條與所述薄膜晶體管的柵極同層設(shè)置，且材料相同。

優(yōu)選的是，所述屏蔽電極與所述第二電極連接同一信號(hào)線。

優(yōu)選的是，所述第一電極為板狀電極，所述第二電極為狹縫電極。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述板狀電極為像素電極，所述狹縫電極為公共電極；或，