[發明專利]正負電位生成電路

在審

• 申請號: 201510027696.1
• 申請日: 2015-01-20
• 公開（公告）號: CN105281565A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 瀨下敏樹
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;H02M1/34;H02M1/12
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

相關申請的引用

本申請基于并請求2014年6月23日申請的在先日本專利申請2014－128594號的優先權，在此引用其全部內容。

技術領域

這里說明的實施方式整體涉及生成正電位及負電位的正負電位生成電路。

背景技術

在便攜電話、智能手機等便攜終端的高頻電路部中，發送電路和接收電路經由高頻信號用開關電路(以下，高頻開關電路)，選擇性地與共通的天線連接。以往，將使用化合物半導體的HEMT(HighElectronMobilityTransistor：高電子遷移率晶體管)用于這樣的高頻開關電路的開關元件，然而出于近年來的低價格和小型化的需求，正在研究向形成在硅基板上的MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管)的替換。

但是，通常的在硅基板上形成的MOSFET中，由于源極或漏極電極與硅基板之間的寄生電容較大，并且硅是半導體，所以有高頻信號的電力損耗較大的問題。因此，提出了將高頻開關電路形成在SOI(SiliconOnInsulator：絕緣體上硅)基板上的技術。

高頻開關的接通電位是高頻開關內的MOSFET成為導通狀態而導通電阻變得充分小的柵極電位。此外，斷開電位是MOSFET成為截止狀態、既使重疊高頻信號也能夠充分維持截止狀態的柵極電位。

當接通電位低于所希望的電位(例如3V)時，高頻開關內的FET的導通電阻變低，插入損失和導通畸變增大。此外，當斷開電位高于所希望的電位(例如－2V)時，最大允許輸入功率降低，截止畸變增大。

這樣，如果高頻開關的柵極電位沒有在導通時和截止時都設定為最合適的電位，則高頻開關的電特性變差。由于這樣的情況，需要用于將高頻開關的柵極電位設定為所希望的電位的電源電路。

通常，電源電路利用電荷泵(chargepump)生成所希望的電位。電荷泵由于與時鐘信號同步進行電壓的升壓、降壓動作，所以會向接地線重疊周期性的高次諧波噪聲。

因此，若將高頻開關與電源電路一起形成在SOI基板上，則電源電路的接地線上的高次諧波噪聲會混入高頻開關的接地線，在以高頻開關切換的高頻信號上也會重疊該高次諧波噪聲，有可能產生接收靈敏度降低等問題。

發明內容

實施方式提供一種使生成正電位和負電位時發生的高次諧波噪聲不重疊到接地線上的正負電位生成電路。

根據一個實施方式，正負電位生成電路具備：從一端側輸出正電位并從另一端側輸出負電位的電荷泵；將上述正電位中包含的高次諧波噪聲除去的第一濾波器；對上述第一濾波器的輸出電位進行調整的第一箝位電路；將上述負電位中包含的高次諧波噪聲除去的第二濾波器；以及對上述第二濾波器的輸出電位進行調整的第二箝位電路。上述電荷泵使從上述一端側輸出的電流全部流到上述第一濾波器，并且使從上述第二箝位電路通過上述第二濾波器的電流全部流到上述另一端側。

根據上述結構的正負電位生成電路，能夠提供使生成正電位和負電位時發生的高次諧波噪聲不重疊到接地線上的正負電位生成電路。

附圖說明

圖1是表示內置第一實施方式的正負電位生成電路1的高頻開關電路2的概略結構的框圖。

圖2是表示第一實施方式的正負電位生成電路1的內部結構的電路圖。

圖3是一比較例的電荷泵11的電路圖。

圖4是說明圖3的電荷泵11的不良情況的圖。

圖5是表示電平轉換器25的內部結構的一例的電路圖。

圖6是表示第二實施方式的正負電位生成電路1的內部結構的電路圖。

圖7是表示第三實施方式的正負電位生成電路1的內部結構的電路圖。

具體實施方式

以下，參照附圖來說明本發明的實施方式。在以下的實施方式中，以正負電位生成電路內的特征性結構以及動作為中心進行說明，但在正負電位生成電路中也可以存在以下的說明中省略了的結構及動作。并且，這些省略了的結構及動作也包含在本實施方式的范圍中。

(第一實施方式)

圖1是表示內置第一實施方式的正負電位生成電路1的高頻開關電路2的概略結構的框圖。圖1的高頻開關電路2具備控制電路3和高頻開關部4。本實施方式中，要記住，是將圖1的高頻開關電路2的整體形成在半導體基板(例如SOI基板)上。由此，能夠形成單片(onechip)化，容易向便攜電話等輕薄短小的電子設備進行安裝。