[發明專利]一種 III 族半導體發光器件在審
| 申請號： | 201510027630.2 | 申請日： | 2015-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN104659177A | 公開（公告）日： | 2015-05-27 |
| 發明（設計）人： | 許順成 | 申請（專利權）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38;H01L33/62;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京愛普納杰專利代理事務所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人： | 何自剛 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 iii 半導體 發光 器件 | ||
1.一種III族半導體發光器件，其特征在于，該發光器件包括：自下而上依次設置的襯底、緩沖層、n型氮化物半導體層、有源層和p型氮化物半導體層，并構成凸臺，其中，
所述凸臺的上表面為p型氮化物半導體層的上表面；
所述凸臺表面上還設有N型線電極，所述N型線電極下方的有源層為被蝕刻掉或所述N型線電極下方的有源層為被部分蝕刻掉，所述N型線電極還連接有N型焊盤，該N型焊盤位于所述有源層上方，所述N型線電極與所述N型焊盤組成N型電極；
所述發光器件還包括P型電極，包括：P型焊盤與P型線電極，該P型電極位于所述凸臺上。
2.根據權利要求1所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p型氮化物半導體層上表面或者位于所述p型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層表面上。
3.根據權利要求1所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p型氮化物半導體層上表面或者位于所述p型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
所述N型線電極位于所述透明導電層上。
4.根據權利要求1所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p型氮化物半導體層上表面或者位于所述p型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層及絕緣層之間。
5.根據權利要求1所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p型氮化物半導體層上表面或者位于所述p型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
所述N型線電極位于所述透明導電層及絕緣層之間。
6.根據權利要求1所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p型氮化物半導體層上表面或者位于所述p型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層及透明導電層之間。
7.根據權利要求1所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p型氮化物半導體層上表面或者位于所述p型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
所述N型線電極位于所述n型氮化物半導體層、透明導電層及絕緣層之間。
8.根據權利要求2至7中任一所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述發光器件還設有絕緣層和透明導電層，所述透明導電層位于所述p型氮化物半導體層上表面或者位于所述p型氮化物半導體層及n型氮化物半導體層的表面，所述絕緣層位于所述透明導電層的表面及所述凸臺的表面；
所述N型焊盤位于所述絕緣層表面之上；
所述N型線電極位于所述絕緣層表面之上。
9.根據權利要求8所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述P型電極，進一步為，
所述P型焊盤位于所述絕緣層表面上；
所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述p型氮化物半導體層表面之上、或位于所述p型氮化物半導體層及透明導電層之間、或位于所述p型氮化物半導體層及絕緣層之間、或位于所述p型氮化物半導體層、絕緣層及透明導電層之間。
10.根據權利要求8所述的III族半導體發光器件，其特征在于，所述P型電極，進一步為，
所述P型焊盤位于所述透明導電層表面之上；
所述P型線電極位于所述透明導電層表面之上、或位于所述透明導電層及絕緣層之間、或部分位于所述絕緣層表面之上、或位于所述p型氮化物半導體層表面之上、或位于所述p型氮化物半導體層及透明導電層之間、或位于所述p型氮化物半導體層及絕緣層之間、或位于所述p型氮化物半導體層、絕緣層及透明導電層之間。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湘能華磊光電股份有限公司;，未經湘能華磊光電股份有限公司;許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510027630.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種熒光粉膠涂覆方法及其應用
- 下一篇：光電元件及其制造方法
