[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201510026741.1
• 申請日: 2015-01-20
• 公開（公告）號: CN104795352B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發明（設計）人: 村田龍紀;丸山隆弘
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/764
• 分類號: H01L21/764;H01L21/8234
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

(a)在半導體襯底的主表面中，形成溝槽部分；

(b)通過利用含有臭氧氣體和四乙氧基甲硅烷氣體的第一氣體的化學氣相沉積，在所述溝槽部分之中并且在所述半導體襯底的所述主表面之上形成具有氧化硅膜的第一絕緣膜；

(c)通過等離子體化學氣相沉積，在所述第一絕緣膜之上形成具有氧化硅膜的第二絕緣膜；以及

(d)通過利用含有臭氧氣體和四乙氧基甲硅烷氣體的第二氣體的化學氣相沉積，在所述第二絕緣膜之上形成具有氧化硅膜的第三絕緣膜，

其中在所述步驟(b)中，所述第一絕緣膜用以覆蓋所述溝槽部分的第一側表面，

其中在所述步驟(c)中，所述第二絕緣膜用以經由所述第一絕緣膜而覆蓋所述溝槽部分的所述第一側表面，以及

其中在所述步驟(d)中，所述第三絕緣膜用以閉合所述溝槽部分，同時在所述溝槽部分中留出空間。

2.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，進一步包括以下步驟：

(e)通過等離子體化學氣相沉積，在所述第三絕緣膜之上形成具有氧化硅膜的第四絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的制造半導體器件的方法，進一步包括以下步驟：

(f)在所述半導體襯底的所述主表面之上形成第五絕緣膜；以及

(g)形成穿透所述第五絕緣膜并且到達所述半導體襯底的開口部分，

其中在所述步驟(a)中，待與所述開口部分相連通的所述溝槽部分通過蝕刻從所述開口部分暴露出的所述半導體襯底來形成，

其中在所述步驟(b)中，所述第一絕緣膜用以覆蓋所述開口部分的第二側表面，

其中在所述步驟(c)中，所述第二絕緣膜用以經由所述第一絕緣膜而覆蓋所述開口部分的所述第二側表面，以及

其中制造所述半導體器件的所述方法進一步包括以下步驟：

(h)在所述步驟(a)之后，但是在所述步驟(b)之前，使得所述開口部分的所述第二側表面相對于所述溝槽部分的所述第一側表面后退。

4.根據權利要求3所述的制造半導體器件的方法，進一步包括以下步驟：

(i)在所述第五絕緣膜之上，形成具有氮化硅膜的第六絕緣膜，

其中在所述步驟(f)中，所述第五絕緣膜具有氧化硅膜，以及

其中在所述步驟(g)中，形成穿過所述第六絕緣膜和所述第五絕緣膜并且到達所述半導體襯底的所述開口部分。

5.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，進一步包括以下步驟：

(j)在所述第六絕緣膜之上，形成具有氧化硅膜的第七絕緣膜，

其中在所述步驟(g)中，形成穿過所述第七絕緣膜、所述第六絕緣膜和所述第五絕緣膜并且到達所述半導體襯底的所述開口部分，以及

其中所述步驟(h)包括以下步驟：

(h1)蝕刻所述第六絕緣膜的從所述開口部分的所述第二側表面暴露出的部分，以使得所述第六絕緣膜相對于所述溝槽部分的所述第一側表面后退；以及

(h2)在所述步驟(h1)后，通過蝕刻將所述第七絕緣膜去除，并且蝕刻所述第五絕緣膜的從所述開口部分的所述第二側表面暴露出的部分，以便使得所述第五絕緣膜相對于所述溝槽部分的所述第一側表面后退。

6.根據權利要求4所述的制造半導體器件的方法，進一步包括以下步驟：

(k)在所述第六絕緣膜之上，形成具有氧化硅膜的第八絕緣膜，

其中在所述步驟(g)中，所述開口部分穿過所述第八絕緣膜、所述第六絕緣膜和所述第五絕緣膜并且到達所述半導體襯底，以及

其中所述步驟(h)包括以下步驟：

(h3)蝕刻所述第八絕緣膜，以使得所述絕緣膜相對于所述溝槽部分的所述第一側表面后退，并且蝕刻所述第五絕緣膜的從所述開口部分的所述第二側表面暴露出的部分，以使得所述第五絕緣膜相對于所述溝槽部分的所述第一側表面后退；以及

(h4)在所述步驟(h3)后，蝕刻所述第六絕緣膜，以使得所述絕緣膜相對于所述溝槽部分的所述第一側表面后退。