[發明專利]耗盡型MOS管的制造方法及結構

有效

• 申請號: 201510025270.2
• 申請日: 2015-01-19
• 公開（公告）號: CN104616995B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 楊文清
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 郭四華

1.一種耗盡型MOS管的制造方法，其特征在于，在硅襯底中形成第一導電類型阱區之后，在所述硅襯底表面形成屏蔽氧化層，之后進行一系列的第二導電類型的溝道調節注入并退火推進形成溝道調節注入區；

一系列的所述溝道調節注入中的第一次溝道調節注入的注入能量最大、注入劑量最小，后續每一次溝道調節注入的注入能量遞減、注入劑量遞加，使每一次溝道調節注入的峰值位置淺于前一次溝道調節注入的峰值位置，最后一次溝道調節注入的峰值位于硅和屏蔽氧化層的界面處或位于屏蔽氧化層內部，使得所述溝道調節注入區在硅和所述屏蔽氧化層的界面處的濃度最高且濃度向硅體內方向遞減，且使得在耗盡型MOS管切換到截止狀態時在整個所述溝道調節注入區耗盡前都不會在所述溝道調節注入區表面形成反型層。

2.如權利要求1所述的耗盡型MOS管的制造方法，其特征在于：形成所述溝道調節注入區之后，還包括步驟：

去除所述屏蔽氧化層并依次形成柵介質層和多晶硅柵，所述多晶硅柵通過所述柵介質層覆蓋在所述溝道調節注入區表面；

形成第二導電類型重摻雜的源區和漏區，所述溝道調節注入區連接所述源區和漏區。

3.如權利要求1所述的耗盡型MOS管的制造方法，其特征在于：一系列的所述溝道調節注入的能量范圍為10kev～80kev，注入劑量范圍為1e12cm^-2～1e13cm^-2。

4.如權利要求1所述的耗盡型MOS管的制造方法，其特征在于：耗盡型MOS管為耗盡型NMOS管，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者，耗盡型MOS管為耗盡型PMOS管，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

5.一種耗盡型MOS管，其特征在于：溝道調節注入區形成于第一導電類型阱區表面且是由一系列的第二導電類型的溝道調節注入加退火推進形成，所述第一導電類型阱區形成于硅襯底中；

一系列的所述溝道調節注入中的第一次溝道調節注入的注入能量最大、注入劑量最小，后續每一次溝道調節注入的注入能量遞減、注入劑量遞加，使每一次溝道調節注入的峰值位置淺于前一次溝道調節注入的峰值位置，最后一次溝道調節注入的峰值位于硅和屏蔽氧化層的界面處或位于屏蔽氧化層內部，所述屏蔽氧化層在所述溝道調節注入之前形成于所述硅襯底表面，使得所述溝道調節注入區在硅和所述屏蔽氧化層的界面處的濃度最高且濃度向硅體內方向遞減，且使得在耗盡型MOS管切換到截止狀態時在整個所述溝道調節注入區耗盡前都不會在所述溝道調節注入區表面形成反型層。

6.如權利要求5所述的耗盡型MOS管，其特征在于,還包括：

柵介質層和多晶硅柵，所述多晶硅柵通過所述柵介質層覆蓋在所述溝道調節注入區表面；

形成第二導電類型重摻雜的源區和漏區，所述溝道調節注入區連接所述源區和漏區。

7.如權利要求5所述的耗盡型MOS管，其特征在于：一系列的所述溝道調節注入的能量范圍為10kev～80kev，注入劑量范圍為1e12cm^-2～1e13cm^-2。

8.如權利要求5所述的耗盡型MOS管，其特征在于：耗盡型MOS管為耗盡型NMOS管，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者，耗盡型MOS管為耗盡型PMOS管，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。