[發明專利]一種硫系相變無機光刻膠的兩步顯影法

有效

• 申請號: 201510024823.2
• 申請日: 2015-01-19
• 公開（公告）號: CN104570627B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 李建政;劉前;朱星;張浩然
• 申請（專利權）人: 國家納米科學中心
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30;G03F7/32
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟;侯桂麗

1.一種硫系相變無機光刻膠的正膠型顯影方法，包括兩步交替顯影，將基底上的選擇性曝光的Ge₂Sb_2(1-x)Bi_2xTe₅光刻膠薄膜先在氧化性溶液中顯影，再在酸性溶液中顯影，反復進行，曝光區域被去除，而未曝光區域被保留，最終在光刻膠上獲得所需圖案結構；其中0<x<1；

所述酸性溶液中氫離子的摩爾濃度r₂為0<r₂≤3.5mol/L；

所述酸性溶液為硝酸、鹽酸、硫酸、醋酸、磷酸或氫氟酸中的1種或2種以上的混合；

所述氧化性溶液為雙氧水溶液、氯水或高錳酸鉀溶液中的1種或2種以上的混合。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述雙氧水溶液中H₂O₂的質量濃度r₁為0<r₁<4.5％。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述雙氧水溶液中H₂O₂的質量濃度r₁為0.5％≤r₁≤2.5％。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液為硝酸。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，硝酸溶液中HNO₃的質量濃度r₃為0<r₃≤20％。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述顯影的溫度為室溫至40℃。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述顯影的溫度為25-35℃。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述顯影的溫度為25℃。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在雙氧水溶液中顯影的時間為2-10分鐘。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在硝酸溶液中顯影的時間為20秒-2分鐘。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光使用激光直寫技術選擇性進行。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光的時間為20ns-1000ns。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述激光的波長為200nm-800nm。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述激光的波長為405nm。

15.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所用激光的能量密度為300-4500mJ/cm²。

16.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，Ge₂Sb_2(1-x)Bi_2xTe₅光刻膠薄膜是采用Ge₂Sb_2(1-x)Bi_2xTe₅靶材，利用磁控濺射技術在單晶硅基底上沉積制備的。

17.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜的厚度為50nm-500nm。