[發明專利]一種二維原子層厚度ZnO單晶納米片及其制備方法有效
| 申請號： | 201510024107.4 | 申請日： | 2015-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN105839189B | 公開（公告）日： | 2018-06-19 |
| 發明（設計）人： | 孟祥敏;王磊;黃興;夏靜;黃奔;朱丹丹 | 申請（專利權）人： | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號： | C30B29/64 | 分類號： | C30B29/64;C30B29/16;C30B25/00 |
| 代理公司： | 北京正理專利代理有限公司 11257 | 代理人： | 張文祎 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶納米片 二維原子 層厚度 納米片 制備 原子層 襯底 爐抽真空 升溫程序 壓縮空氣 自然降溫 管式爐 機械泵 結晶性 熱蒸發 對管 放入 鋅粉 耗時 剝離 取出 生長 | ||
【說明書】：
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