[發(fā)明專利]一種PECVD鍍膜方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510023807.1
• 申請(qǐng)日: 2015-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN104762610A
• 公開（公告）日: 2015-07-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董方;李虎明;孫涌濤;張向斌;胡玉婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 橫店集團(tuán)東磁股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/52
• 分類號(hào): C23C16/52;C23C16/34;H01L31/18
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.一種PECVD鍍膜方法，其特征是，采用常規(guī)晶硅太陽能電池制造技術(shù)，對(duì)常規(guī)PECVD設(shè)備增設(shè)N₂O氣路的基礎(chǔ)上，在PECVD沉積“SiO₂+SiNx”減反射膜，具體鍍膜方法如下：

(1)沉積SiO₂層：在一定的壓力和功率下，通入總流量為4200-10800sccm的SiH₄、NH₃和N₂O氣體，沉積一定時(shí)間；

(2)沉積SiNx層：分兩次進(jìn)行沉積，分別形成第一層SiNx和第二層SiNx，分別在相同的壓力和功率下，通入不同流量的SiH₄和NH₃氣體，沉積一定時(shí)間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PECVD鍍膜方法，其特征是，在步驟(1)中，SiH₄氣體流量為200-800sccm，NH₃氣體流量為2000-5000sccm，N₂O氣體流量為2000-5000sccm，壓力為1500-2000?mtor，功率為3000-5000?W；沉積時(shí)間為30-300s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PECVD鍍膜方法，其特征是，在步驟(2)中，沉積第一層SiNx時(shí)，SiH₄氣體流量為500-1000sccm，NH₃氣體流量為4000-8000sccm，氣體總流量為4500-9000sccm，壓力為1500-2000?mtor，功率為3000-6000?W，沉積時(shí)間為100-300s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的一種PECVD鍍膜方法，其特征是，在步驟(2)中，沉積第二層SiNx時(shí)，SiH₄氣體流量為400-800sccm，NH₃氣體流量為3000-8000sccm，氣體總流量為3400-8800sccm，壓力為1500-2000?mtor，功率為3000-6000?W，沉積時(shí)間為500-700s。