[發(fā)明專利]一種硅片厚度測量裝置及測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510023799.0 | 申請日： | 2015-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN104613879B | 公開（公告）日： | 2018-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李俊林 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫名谷科技有限公司 |
| 主分類號： | G01B11/06 | 分類號： | G01B11/06 |
| 代理公司： | 無錫盛陽專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32227 | 代理人： | 顧吉云 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 硅片 厚度 測量 裝置 測量方法 | ||
1.一種硅片厚度測量裝置，其特征在于，其包括順次布置的激光發(fā)射器、分束器、探頭、干涉信號接收器，所述探頭包括上探頭和下探頭，所述上探頭和/或下探頭連接電源，所述上探頭、下探頭之間設(shè)置激光晶體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片厚度測量裝置，其特征在于，所述探頭為平板。
3.一種硅片厚度測量方法，其特征在于，其包括以下步驟：
（1）在上探頭和下探頭之間平放硅片，并在上探頭內(nèi)側(cè)放置激光晶體，上探頭連接電源；
（2）激光發(fā)射器發(fā)出的激光通過分束器分出兩道激光，其中一道激光穿過激光晶體，另一道激光直接通過上探頭和下探頭之間；
（3）干涉信號接收器檢測到兩束激光的干涉信號得出相位變化量；
（4）通過相位變化量和電光效應(yīng)得到電場強度E，根據(jù)公式U = E×d + E×dc/計算得到硅片和上探頭處的激光晶體的距離d=d1，其中U為電源電壓，dc為激光晶體厚度，為激光晶體相對介電常數(shù)，都為已知；
（5）將激光晶體放置在下探頭內(nèi)側(cè)，將電源連接下探頭；
（6）重復(fù)步驟（2）、（3）、（4）得到硅片和下探頭處的激光晶體的距離d2；
（7）設(shè)上探頭和下探頭之間的距離為D，硅片的厚度T=D-（d1 +d2+2dc）。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種硅片厚度測量方法，其特征在于，分束器分出的兩道激光強度分別為I1、I2，干涉信號接收器接收到的總光強為I，根據(jù)公式 得到相位變化量。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種硅片厚度測量方法，其特征在于，由電光效應(yīng)，當(dāng)電場加到激光晶體上會引起折射率變化Δn=（a*E），a為常數(shù)，設(shè)激光晶體的長度為L，激光光程變化為Δn*L，根據(jù)公式=(Δn*L÷λ)*2*π，其中λ為激光波長，得到電場強度E。
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