[發明專利]一種碳化硅基電路板及其制備方法

有效

• 申請號: 201510023661.0
• 申請日: 2015-01-16
• 公開（公告）號: CN104617204B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 曾清隆;陳澤同
• 申請（專利權）人: 隆科電子（惠陽）有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L23/498;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/552;H01L21/48
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 章蘭芳

1.一種碳化硅基電路板的制備方法，其特征在于，包括：

配料步驟：將80-95％的研磨后形成的碳化硅微粒與20--5％的玻璃釉攪拌混合，加入粘合劑后進行噴霧造粒，形成碳化硅陶瓷粉體；

壓制成型步驟：按需求的外部形狀和孔槽形狀選用對應的壓制成型模具將所述碳化硅陶瓷粉體壓制成型為碳化硅陶瓷塊；

燒結步驟：將成型后的碳化硅陶瓷塊送入燒結爐中燒結，形成碳化硅陶瓷基板；

加工清洗步驟：對于成型模具無法加工的碳化硅陶瓷基板的部位，用機械或激光方法進行加工，加工完畢進行清洗；

網印步驟：將按需求制好的線路絲網上入網印機，用金屬漿將網板上的線路圖案印制在己加工并清洗干凈的碳化硅基板面上，送入烘干爐中烘干；如制作雙面碳化硅基電路板，重復該網印步驟印制碳化硅基板的另一面，送入烘干爐中烘干；

還原步驟：將印制好并烘干的碳化硅基板送入還原爐中還原，出爐冷卻后形成碳化硅基電路板。

2.根據權利要求1所述的碳化硅基電路板的制備方法，其特征在于：

在壓制成型步驟中，所述碳化硅陶瓷塊的形狀為圓形，橢圓形，矩形或多邊形，所述碳化硅陶瓷塊的壓制厚度為0.8mm--8mm，所述碳化硅陶瓷塊的散熱面為平面、曲線面、多半球體面或多三角錐體面。

3.根據權利要求1所述的碳化硅基電路板的制備方法，其特征在于：

在燒結步驟中，燒結爐的溫度設置為800℃--1200℃。

4.根據權利要求1所述的碳化硅基電路板的制備方法，其特征在于：

在燒結步驟前，還包括將成型后的碳化硅陶瓷塊送入排膠爐中排膠，排膠爐的溫度設置為400℃--700℃。

5.根據權利要求1所述的碳化硅基電路板的制備方法，其特征在于：

在還原步驟中，還原爐的溫度設置為400℃--800℃，還原時間為10--180分鐘。

6.根據權利要求1所述的碳化硅基電路板的制備方法，其特征在于：

網印步驟中的金屬漿料釆用銀、錫、鎳、銅或鋁制作的漿料。