[發明專利]發光元件顯示裝置在審
| 申請號: | 201510023628.8 | 申請日: | 2015-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN104795423A | 公開(公告)日: | 2015-07-22 |
| 發明(設計)人: | 佐藤敏浩 | 申請(專利權)人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 顯示裝置 | ||
1.一種發光元件顯示裝置,具有:
由絕緣材料構成的基板;
在所述基板上的顯示區域上配置的多個像素;
形成在所述多個像素的各像素上的一個或者多個薄膜晶體管;
通過在所述各像素中流過電流而發光的發光元件;
配置在所述基板及所述薄膜晶體管之間且在俯視下至少與兩個所述薄膜晶體管重疊的第1電極;
隔著絕緣膜配置在所述第1電極的與所述基板側相反的一側、且與所述第1電極形成電容器的由導電材料構成的第2電極。
2.根據權利要求1所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述第1電極以跨設于多個像素上的方式形成。
3.根據權利要求1所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述第1電極以覆蓋所述顯示領域的方式形成。
4.根據權利要求3所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
在所述第1電極中,形成有作為在俯視下開設于多個位置的孔的狹縫。
5.根據權利要求1所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述第1電極與在所述各像素中使所述發光元件發光的基準電位連接。
6.根據權利要求1所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述發光元件具有包含發光層的有機層、陽極、和陰極,
所述第1電極與所述陰極電連接,
所述第2電極與所述陽極電連接。
7.根據權利要求1所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述各像素具有控制與灰度值相應的電壓的施加的像素晶體管、和基于經由所述像素晶體管施加的電位來控制發光的驅動晶體管,
所述第2電極與所述驅動晶體管的柵極連接。
8.根據權利要求7所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述第1電極與所述驅動晶體管的源極或者漏極的一方連接。
9.根據權利要求1所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述發光元件顯示裝置還具有隔著絕緣膜配置在所述第2電極的與所述基板側相反的一側并與所述第2電極形成電容器的由導電材料構成的第3電極,
所述第3電極與所述第1電極電連接,并與第2電極形成電容器。
10.根據權利要求9所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述薄膜晶體管具有半導體層,
所述第3電極形成在與所述半導體層同一層上。
11.根據權利要求1所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
還具有隔著絕緣膜配置在所述第2電極的與所述基板側相反的一側并與所述第2電極形成電容器的由導電材料構成的第3電極,
所述第1電極與所述發光元件的陰極連接,
所述第2電極與所述驅動晶體管的源極或者漏極的一方連接,
所述第3電極與所述驅動晶體管的柵極連接。
12.一種發光元件顯示裝置,其特征在于,具有:
由絕緣材料構成的基板;
在所述基板上的顯示區域上配置的多個像素;
形成在所述多個像素的各像素上的一個或者多個薄膜晶體管;
具有包含發光層的有機層、陽極電極、陰極電極的發光元件;
配置在所述基板及所述薄膜晶體管之間,在俯視下至少與兩個所述薄膜晶體管重疊的第1電極;
隔著絕緣膜配置在所述第1電極的與所述基板側相反的一側并與所述第1電極相對的第2電極。
13.根據權利要求12所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述第1電極與所述薄膜晶體管的一個源極或者漏極的一方連接。
14.根據權利要求12所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述第2電極與所述薄膜晶體管的一個柵極連接。
15.根據權利要求13所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述薄膜晶體管具有半導體層,
所述第2電極形成在與所述半導體層相同層上。
16.根據權利要求12所述的發光元件顯示裝置,其特征在于,
所述第1電極與所述陰極電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





