[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510023123.1
• 申請(qǐng)日: 2015-01-16
• 公開（公告）號(hào): CN104868028B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂志軒;陳譽(yù)云;林永鑫;李芳儀;潘錫明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/14
• 分類號(hào): H01L33/14;H01L33/38
• 代理公司: 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于包括：

第一型半導(dǎo)體層；

發(fā)光層，位于該第一型半導(dǎo)體層上；

第二型半導(dǎo)體層，位于該發(fā)光層上；

電流阻擋層，位于該第二型半導(dǎo)體層上；

透明導(dǎo)電層，位于該第二型半導(dǎo)體層上，且覆蓋該電流阻擋層；以及

電極，位于與該電流阻擋層相對(duì)應(yīng)的該透明導(dǎo)電層上；

其中，該電流阻擋層包括多個(gè)高折射率層以及多個(gè)低折射率層，且該些高折射率層與該些低折射率層交互堆棧，該些高折射率層包括第一高折射率層與第二高折射率層，且該些低折射率層包括：低折射率底層，位于該第二型半導(dǎo)體層與該第一高折射率層之間；第一低折射率層，位于該第一高折射率層與該第二高折射率層之間；以及第二低折射率層，位于該第二高折射率層與該透明導(dǎo)電層之間，且該低折射率底層的厚度大于其他該些低折射率層與該些高折射率層的厚度。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該些高折射率層的厚度為0.25λ/nh，該第一低折射率層與該第二低折射率層的厚度為0.25λ/nl，該低折射率底層的厚度為1.75λ/nl，其中，λ為該發(fā)光層所發(fā)出光的波長(zhǎng)，nh為該些高折射率層的折射率，且nl為該些低折射率層的折射率。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該些高折射率層還包括高折射率頂層，位于該第二低折射率層與該透明導(dǎo)電層之間。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該些高折射率層的厚度為0.15λ/nh，該第一低折射率層與該第二低折射率層的厚度為0.45λ/nl，該低折射率底層的厚度為0.6λ/nl，其中，λ為該發(fā)光層所發(fā)出光的波長(zhǎng)，nh為該些高折射率層的折射率，且nl為該些低折射率層的折射率。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該些高折射率層的材料包括二氧化鈦。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該些低折射率層的材料包括二氧化硅。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該透明導(dǎo)電層的材料包括選自由氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦鎵、摻鋁氧化鋅、氧化鎳、二氧化釕與石墨烯組成的群組的至少其中之一。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該電流阻擋層中的相鄰折射率層的光程差不等于該發(fā)光層所發(fā)出光的波長(zhǎng)的整數(shù)倍。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該電流阻擋層與該電極分別在截面上具有第一寬度與第二寬度，且該電流阻擋層的該第一寬度大于該電極的該第二寬度。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，該第一寬度與該第二寬度的比值落在1.4至2.6之間。