[發(fā)明專利]一種石墨烯/氮化硼/氧化鋅紫外探測器及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510021262.0 | 申請日: | 2015-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN104617180B | 公開(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林時勝;吳志乾;徐志娟;李曉強;王朋;章盛嬌;鐘匯凱;徐文麗;陳紅勝 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H01L31/102 | 分類號: | H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/02;H01L31/0296;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司33200 | 代理人: | 韓介梅 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 氮化 氧化鋅 紫外 探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種石墨烯/氮化硼/氧化鋅紫外探測器,其特征在于自下而上依次有背面電極(1)、氧化鋅層(2)、氮化硼層(3)、石墨烯層(4)和正面電極(5),所述的氮化硼層(3)中的氮化硼為1-20層。
2.根據權利要求1所述的石墨烯/氮化硼/氧化鋅紫外探測器,其特征在于所述的氧化鋅層(2)為p型或者n型摻雜的氧化鋅。
3.根據權利要求1所述的石墨烯/氮化硼/氧化鋅紫外探測器,其特征在于所述的石墨烯層(4)中的石墨烯為1-10層。
4.根據權利要求1所述的石墨烯/氮化硼/氧化鋅紫外探測器,其特征在于所述的背面電極(1)是金、鈀、銀、鈦、鉻和鎳中的一種或者幾種的復合電極。
5.根據權利要求1所述的石墨烯/氮化硼/氧化鋅紫外探測器,其特征在于所述的正面電極(5)是金、鈀、銀、鈦、鉻和鎳中的一種或者幾種的復合電極。
6.制備權利要求1-5任一項所述的石墨烯/氮化硼/氧化鋅紫外探測器的方法,其特征在于包括如下步驟:
1)在潔凈的n型或p型摻雜氧化鋅的一面制作背面電極;
2)將原子層為1-20層的氮化硼轉移至上述潔凈的n型或p型摻雜氧化鋅的另一面上;
3)將原子層數為1-10層的石墨烯轉移至步驟2)所得的氮化硼層上;
4)在上述石墨烯層上制作正面電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江大學,未經浙江大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510021262.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





