[發明專利]一種電熱致動器及其形成方法有效
| 申請號： | 201510020763.7 | 申請日： | 2015-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN104538544B | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 孟超;黃璞;周經緯;杜江峰 | 申請（專利權）人： | 中國科學技術大學 |
| 主分類號： | H01L41/08 | 分類號： | H01L41/08;H01L41/332 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 230026 安*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電熱 致動器 及其 形成 方法 | ||
1.一種電熱致動器，其特征在于，所述電熱致動器為一體成型的V字型結構，所述V字型結構的兩端固定，所述V字型結構的內角部分與納米線的固定端相對的活動端連接，且與所述納米線一體成型。
2.根據權利要求1所述的電熱致動器，其特征在于，所述V字型結構懸置有硅層，及設置在所述硅層上的金屬層。
3.一種電熱致動器的形成方法，其特征在于，包括：
在絕緣襯底上的硅SOI的預設區域上蒸鍍金屬層；
在所述SOI上用標準的半導體加工技術，將所述SOI的頂層硅加工成V字型結構，所述V字型結構的兩端固定，所述V字型結構的內角部分與納米線的固定端相對的活動端連接，且與所述納米線一體成型；
將所述納米線下面的硅刻蝕掉，使金屬層懸空；
將所述V字型結構和所述納米線下面的二氧化硅腐蝕掉，使所述V字型結構和所述納米線構成的整體結構懸空；
向所述金屬層通預設初始電流；
按照預設幅度逐漸增大所述預設初始電流；
當檢測到所述納米線的阻值達到預設阻值時，停止通電流，裂結形成。
4.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述預設阻值為12.9kΩ。
5.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于，蒸鍍金屬層采用電子束蒸發工藝。
6.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述標準的半導體加工技術為電子束光刻工藝。
7.根據權利要求3所述的形成方法，其特征在于，將所述納米線下面的硅刻蝕掉采用深硅刻蝕工藝。
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