[發明專利]大尺寸KDP晶體表面磁-射流清洗裝置及清洗工藝

有效

• 申請號: 201510020153.7
• 申請日: 2015-01-15
• 公開（公告）號: CN104588353A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 劉增文;黃傳真;王軍;朱洪濤;劉含蓮;徐國強
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/08
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司 37221
• 代理人: 趙妍

1.一種大尺寸KDP晶體表面磁-射流清洗裝置，其特征在于：包括固定裝置和清洗輪，所述固定裝置為中空的柱體，中空的部分為第一清洗液通道；所述清洗輪由強力磁鐵制成，包括第一橫截面和第二橫截面，所述清洗輪通過第一橫截面的中部固定在所述固定裝置一端的橫截面上，所述清洗輪的中部也設有與所述固定裝置上的第一清洗液通道共軸相通的第二清洗液通道；所述清洗輪的第二橫截面設有與所述第二清洗液通道相通的導流槽，所述導流槽與所述第二清洗液通道之間的連接為弧形連接，所述導流槽以所述清洗輪的第二橫截面的圓心為一端點，在所述清洗輪的第二橫截面呈發散狀分布。

2.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于：所述固定裝置和所述清洗輪一體成型。

3.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于：所述導流槽至少為2條。

4.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于：所述導流槽為沿所述清洗輪的第二橫截面徑向的直線。

5.根據權利要求1所述的清洗裝置，其特征在于：所述導流槽為曲線狀。

6.利用所述權利要求1所述的清洗裝置的進行清洗的清洗工藝包括如下步驟：

(1)將清洗裝置上的固定裝置安裝在數控機床的主軸上，并且將KDP晶體固定在數控機床的工作臺上；

(2)調整清洗裝置的清洗輪的下表面與KDP晶體表面之間的間隙；

(3)通過對清洗劑進行加壓，使清洗劑注入清洗裝置中，通過調節壓力控制裝置來調節清洗劑的壓力；

(4)啟動數控機床，使清洗裝置和KDP晶體之間相對旋轉，并且通過調節數控機床來調節清洗裝置和KDP晶體之間的相對轉速；

(5)利用數控機床使清洗裝置和KDP晶體表面之間作相對平面運動，并且通過調節數控機床來調節清洗裝置和KDP晶體之間的相對平面運動速率。

7.根據權利要求6所述的清洗工藝，其特征在于：所述清洗劑為低分子有機溶劑，所述低分子有機溶劑為乙醇、異丙醇、丙酮和乙醚中的一種或者是幾種的混合溶液。

8.根據權利要求6所述的清洗工藝，其特征在于：所述清洗裝置的清洗輪與KDP晶體表面之間的間隙調整范圍為：0.02-0.5mm，所述清洗裝置和KDP晶體之間的相對轉速范圍為：0-200rpm，所述清洗裝置和KDP晶體之間的相對平面運動速率的調整范圍為：0-500m/min。

9.根據權利要求6所述的清洗工藝，其特征在于：所述步驟4中，KDP晶體靜止，清洗裝置在數控機床主軸的帶動下相對于KDP晶體旋轉。

10.根據權利要求6所述的清洗工藝，其特征在于：所述步驟5中，KDP晶體在數控機床的帶動下相對于清洗裝置作平面運動。