[發(fā)明專利]一種核磁共振譜儀專用高飽和高電阻合金及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510020040.7 | 申請日： | 2015-08-04 |
| 公開（公告）號： | CN104498823A | 公開（公告）日： | 2015-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝寰彤;胡柱龍;胡敏敏 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海寰彤科教設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | C22C38/12 | 分類號： | C22C38/12;C22C30/00;C21D1/26;C21D1/74;C22F1/02;H01F1/047 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 201806 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 核磁共振 專用 飽和 電阻 合金 及其 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.?一種核磁共振譜儀專用高飽和高電阻合金，其特征在于為Fe-Co-Al鐵鈷系合金，其中：
Co的質(zhì)量百分比含量為5-35%?，
稀土Al的質(zhì)量百分比含量為5-12%，
Si質(zhì)量百分比含量0.5-1%，
Mo質(zhì)量百分比含量2-3%，
其余為鐵，
雜質(zhì)要求C、P、S、Ni<0.01%。
2.?制備如權(quán)利要求1所述的合金的制備方法，其特征在于步驟如下：
在坩堝中按比例放入高純度的Al、Co、?Si、?Mo和鐵；
在氫氣氣氛下以15-25℃/h速率上升至1100-1200℃，保持130-150小時；以2-3℃/分鐘速率下降至室溫。
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