[發明專利]一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法

在審

• 申請號: 201510018887.1
• 申請日: 2015-01-14
• 公開（公告）號: CN104600082A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 王珂
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法。

背景技術

目前，隨著電子設備的迅速發展，顯示面板越來越多的應用于電子設備中，顯示面板包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板是顯示面板的重要組成之一。

目前，在制作陣列基板的過程中，為了防止在刻蝕源/漏極時，刻蝕液體或刻蝕氣體破壞位于源/漏極下方的有源層，在源/漏極和有源層之間設有刻蝕阻擋層，以保護有源層免于受到刻蝕破壞。但是，由于刻蝕阻擋層為絕緣材料層，而源/漏極需要與有源層導通，因此，為了便于使源/漏極與有源層導通，常需要利用掩膜工藝在刻蝕阻擋層上形成過孔，這樣一來，導致在陣列基板的制作過程中掩膜次數較多，降低了制作陣列基板的效率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法，用于提高制作陣列基板的效率。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種陣列基板，包括：襯底基板，設于所述襯底基板上方的有源層，設于所述有源層上方的源/漏極，在所述有源層和所述源/漏極之間設有使所述源/漏極與所述有源層導通的歐姆接觸層。

進一步地，所述有源層為銦鎵鋅氧化物層或銦錫鋅氧化物層。

進一步地，在襯底基板和所述有源層之間設有柵極絕緣層；所述柵極絕緣層為二氧化硅層，或，為由二氧化硅層和氮氧化硅層構成的復合層，或，為由二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層構成的復合層；其中，所述柵極絕緣層中的二氧化硅層與所述有源層接觸。

進一步地，在所述源/漏極上設有第一保護層，所述第一保護層為由二氧化硅層和氮氧化硅層構成的復合層，或，為由二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層構成的復合層。

進一步地，所述第一保護層上方設有第二保護層，所述第二保護層為氮化硅層，或，為由二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層構成的復合層。

一種顯示面板，包括上述技術方案所述的陣列基板。

一種上述陣列基板的制作方法，包括：

在襯底基板的上方形成有源層；

在所述有源層上形成歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層上形成源/漏極導電層，通過構圖工藝在所述源/漏極導電層上形成包括源/漏極的圖形；

對歐姆接觸層與源/漏極之間的狹縫對應的區域進行刻蝕，形成所述歐姆接觸層的最終圖案。

進一步地，所述有源層為銦鎵鋅氧化物層或銦錫鋅氧化物層。

進一步地，在襯底基板的上方形成有源層的步驟之前，在襯底基板的上方形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層為二氧化硅層，或，為由二氧化硅層和氮氧化硅層構成的復合層，或，為由二氧化硅層、氮氧化硅層和氮化硅層構成的復合層；其中，所述柵極絕緣層中的二氧化硅層與所述有源層接觸。

進一步地，在形成所述有源層的最終圖案的步驟之后，在所述源/漏極上形成第一保護層，制作所述第一保護層時所對應的環境溫度低于200℃。

進一步地，在所述源/漏極上形成所述第一保護層的步驟之后，對所述第一保護層進行退火處理。

進一步地，在對所述第一保護層進行退火處理的步驟之后，在所述第一保護層上方形成第二保護層；在形成所述第二保護層的步驟之后，對所述陣列基板進行退火處理。

本發明提供的陣列基板中，在源/漏極和有源層之間設有歐姆接觸層，利用歐姆接觸層，可以在刻蝕源/漏極時防止刻蝕液體或刻蝕氣體破壞有源層；并且，歐姆接觸層能夠使源/漏極與有源層導通；因此，與需設置刻蝕阻擋層、及在刻蝕阻擋層上設置過孔的現有技術相比，省去了在刻蝕阻擋層上制作過孔的步驟，從而減少了制作陣列基板的掩膜次數，提高了制作陣列基板的效率。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發明實施例一中陣列基板的結構示意圖；

圖2為本發明實施例二中陣列基板的一種制作方法的流程圖；

圖3為本發明實施例三中陣列基板的一種制作方法的流程圖；

圖3a、圖3b、圖3c、圖3d、圖3e、圖3f、圖3g、圖3h、圖3i、圖3j、圖3k、圖3l、圖3m為本發明實施例中陣列基板的制作過程示意圖。

附圖標記：

10-陣列基板，????????????????????????11-襯底基板，

12-有源層，??????????????????????????13-源/漏極，