[發明專利]Ba(Fe0.5Nb0.5)O3/Bi0.2Y2.8Fe5O12 層狀磁電復合材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201510018790.0 | 申請日： | 2015-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN104557008B | 公開（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發明（設計）人： | 楊海波;白路陽;林營;朱建鋒;王芬 | 申請（專利權）人： | 陜西科技大學 |
| 主分類號： | C04B35/40 | 分類號： | C04B35/40;C04B35/505;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人： | 安彥彥 |
| 地址： | 710021 *** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ba fe sub 0.5 nb bi 0.2 2.8 12 層狀 磁電 復合材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.Ba(Fe0.5Nb0.5)O3/Bi0.2Y2.8Fe5O12層狀磁電復合材料，其特征在于，該層狀磁電復合材料的化學式為：xBa(Fe0.5Nb0.5)O3/(1-x)Bi0.2Y2.8Fe5O12，其中x為Ba(Fe0.5Nb0.5)O3的質量百分數，且0.1≤x≤0.5。
2.根據權利要求1所述的Ba(Fe0.5Nb0.5)O3/Bi0.2Y2.8Fe5O12層狀磁電復合材料，其特征在于，該層狀磁電復合材料的化學式為：xBa(Fe0.5Nb0.5)O3/(1-x)Bi0.2Y2.8Fe5O12，其中x為Ba(Fe0.5Nb0.5)O3的質量百分數，且0.1≤x≤0.3。
3.根據權利要求1所述的Ba(Fe0.5Nb0.5)O3/Bi0.2Y2.8Fe5O12層狀磁電復合材料，其特征在于，該層狀磁電復合材料的化學式為：xBa(Fe0.5Nb0.5)O3/(1-x)Bi0.2Y2.8Fe5O12，其中x為Ba(Fe0.5Nb0.5)O3的質量百分數，且x＝0.1。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于陜西科技大學，未經陜西科技大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510018790.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法
- 瓶(0.5L)
- 0.5微米垂直JFET工藝
- Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub>-BaTiO<sub>3</sub>–BiMg<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>O<sub>3</sub>無鉛壓電陶瓷材料
- K0.5Na0.5NbO3單晶的制備方法
- 0.5U網絡配線架
- K<sub>0.5</sub>Bi<sub>0.5</sub>TiO<sub>3</sub>–BiNi<sub>0.5</sub>Zr<sub>0.5</sub>O<sub>3</sub>電致伸縮陶瓷材料及制備
- 旋轉第0.5軸
- 旋轉第0.5軸
- (Pr<base:Sub>0.5
- Cu<base:Sub>0.5
