[發明專利]一種自組裝納米卷狀結構的制備方法及其模擬驗證方法有效
| 申請號: | 201510017829.7 | 申請日: | 2015-01-14 |
| 公開(公告)號: | CN104598679B | 公開(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發明(設計)人: | 張軍;李振;張立紅;燕友果;劉冰;孫曉麗 | 申請(專利權)人: | 中國石油大學(華東) |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 青島聯智專利商標事務所有限公司37101 | 代理人: | 崔濱生 |
| 地址: | 266580 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 組裝 納米 結構 制備 方法 及其 模擬 驗證 | ||
1.一種自組裝納米卷狀結構的制備方法,其特征在于,首先構建一個帶有缺陷的受限孔道,所述缺陷長度為3.3-3.6 nm,然后,將組裝基元置于受限孔道中,由受限孔道的誘導作用,所述組裝基元首先形成第一層自組裝結構,所述第一層自組裝結構的首端與尾端不相接;由第一層自組裝結構的誘導作用,形成第二層自組裝結構,所述第二層自組裝結構的首端與第一層自組裝結構的尾端連接;逐漸形成多層自組裝結構,形成完整的卷狀自組裝納米結構;
所述自組裝納米卷狀結構的制備方法的模擬方法具體為:
(1)在Materials Studio軟件中分別構建粗粒化受限孔道模型及粗粒化組裝基元模型,進行粗?;肿觿恿W模擬,所述粗?;肿觿恿W模擬是運用Mesocite模塊,模擬力場為Shinoda力場;
(2)將隨機分布的組裝基元置于受限孔道中,構建初始模型,對初始模型進行幾何優化,幾何優化是采用Shinoda力場、Steepest Descent及Smart算法;
(3)對優化后的模型進行分子動力學模擬,形成完整的卷狀自組裝納米結構,所述分子動力學模擬采用NVT系綜,溫度為298 K,時間步長為10 fs,采用Berendsen控溫方法,模擬時間為30 ns。
2.根據權利要求1所述的一種自組裝納米卷狀結構的制備方法,其特征在于,所述受限孔道是采用平行排列的碳納米管構建而成。
3.根據權利要求1所述的一種自組裝納米卷狀結構的制備方法,其特征在于,所述組裝基元為嵌段共聚物、雙面神納米顆?;虮砻婊钚詣?/p>
4.根據權利要求1所述的一種自組裝納米卷狀結構的制備方法,其特征在于,所述受限孔道為圓形、橢圓形或六角形孔道。
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