[發明專利]一種異質結太陽能電池的制造方法及異質結太陽能電池

在審

• 申請號: 201510016061.1
• 申請日: 2015-01-13
• 公開（公告）號: CN104600157A
• 公開（公告）日: 2015-05-06
• 發明（設計）人: 張津燕;郁操;易志凱;楊苗;徐希翔
• 申請（專利權）人: 福建鉑陽精工設備有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0747
• 代理公司: 北京市清華源律師事務所 11441
• 代理人: 沈泳;李贊堅

1.一種異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

提供基片；

在所述基片一側或兩側形成第一本征緩沖層；

在具有所述第一本征緩沖層的基片的兩側形成第二本征緩沖層；

在具有所述第二本征緩沖層的基片的兩側形成摻雜層，稱為第一摻雜層和第二摻雜層；

在具有所述摻雜層的基片的兩側分別形成透明導電層；或在具有所述摻雜層的基片的一側形成透明導電層，另一側形成透明導電氧化物/金屬復合層。

2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一本征緩沖層和/或第二本征緩沖層設置為單層或多層，并采用化學氣相沉積法、熱絲氣相化學沉積或者熱氧化法沉積形成。

3.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一本征緩沖層為a-SiOx:H本征層，沉積條件為：選用的反應氣體為SiH₄和CO₂；沉積溫度范圍大于等于200℃，小于等于230℃；沉積壓力范圍為大于等于0.2mbar，小于等于0.8mbar；SiH₄流量范圍為大于等于200sccm，小于等于800sccm；CO₂流量范圍為大于等于20sccm，小于等于50sccm；40MHz甚高頻功率密度范圍為大于等于0.012W/cm²，小于等于0.025W/cm²。

4.根據權利要求3所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一本征緩沖層的厚度范圍為大于等于1nm，小于等于25nm。

5.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第二本征緩沖層為a-Si:H本征層，沉積條件為：反應氣體為SiH₄，沉積溫度范圍為大于等于220℃，小于等于230℃；沉積壓力范圍為大于等于0.5mbar，小于等于0.7mbar；SiH₄流量范圍為大于等于400sccm，小于等于800sccm；40MHz甚高頻功率密度范圍為大于等于0.012W/cm²，小于等于0.025W/cm²。

6.根據權利要求5所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第二本征緩沖層的厚度范圍為大于等于1nm，小于等于25nm。

7.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一摻雜層為P型摻雜層，第二摻雜層為N型摻雜層；或第一摻雜層為N型摻雜層，第二摻雜層為P型摻雜層。

8.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述第一摻雜層為摻雜三甲基硼的非晶硅層，形成P型摻雜層，所述第二摻雜層為摻雜磷烷的非晶硅層，形成N型摻雜層。

9.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池的制造方法，其特征在于：在所述透明導電層的沉積材料為氧化銦錫；所述透明導電氧化物/金屬復合層的沉積材料為氧化銦錫/銀。

10.一種異質結太陽能電池，其特征在于，包括：

基片；

在所述基片的一側或兩側設置第一本征緩沖層；

在具有所述第一本征緩沖層的基片的兩側形成第二本征緩沖層；

在具有所述第二本征緩沖層的基片的兩側設置摻雜層；

在具有所述摻雜層的基片的兩側分別設置透明導電層；或在具有所述摻雜層的基片的一側設置透明導電層，另一側形成透明導電氧化物/金屬復合層。

11.根據權利要求10所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述第一本征緩沖層和/或第二本征緩沖層設置為單層或多層結構。

12.根據權利要求10所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述第一摻雜層為P型摻雜層，第二摻雜層為N型摻雜層；或第一摻雜層為N型摻雜層，第二摻雜層為P型摻雜層。