[發明專利]一種銻化銦晶片化學拋光方法

有效

• 申請號: 201510014588.0
• 申請日: 2015-01-12
• 公開（公告）號: CN104576354B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 趙超;程鵬
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心11010
• 代理人: 田衛平

1.一種銻化銦晶片化學拋光方法，其特征在于，機械化學拋光完成后，將粘結有銻化銦晶片的拋光盤倒置于盛有0.005％～10％的溴甲醇化學拋光液的拋光槽內，使得所述銻化銦晶片的表面朝向所述拋光槽的底部并且所述銻化銦晶片浸沒于所述溴甲醇化學拋光液中，以進行化學拋光，所述化學拋光的時間為10s～200s；

所述方法，還包括：拋光盤倒置于拋光槽內之前和化學拋光時，在所述銻化銦晶片的下方攪拌所述溴甲醇化學拋光液；攪拌速度設定為50rpm/s～100rpm/s，并且在所述拋光盤倒置于拋光槽內之前攪拌10～40min；所述拋光盤倒置于所述拋光槽內之前和所述化學拋光時，控制所述溴甲醇化學拋光液的溫度為0℃～30℃。

2.根據權利要求1所述的化學拋光方法，其特征在于，化學拋光完成后，執行沖洗步驟1：采用溫度為0℃～30℃的COMS級甲醇溶液作為第一沖洗液沖洗銻化銦晶片。

3.根據權利要求2所述的化學拋光方法，其特征在于，沖洗步驟1完成后執行沖洗步驟2：使用0℃～30℃的去離子水作為第二沖洗液沖洗所述銻化銦晶片5min～20min。

4.根據權利要求3所述的化學拋光方法，其特征在于，沖洗步驟2完成后，采用氮氣吹干銻化銦晶片。

5.根據權利要求3或4所述的化學拋光方法，其特征在于，所述拋光槽流體連通有儲液箱，所述第一沖洗液和所述第二沖洗液分別存儲于所述儲液箱內，化學拋光完成后，將所述溴甲醇化學拋光液從所述銻化銦晶片的下方排出，并且將所述第一沖洗液從所述拋光盤的上方導入所述拋光槽內，其中所述溴甲醇化學拋光液的流量小于所述第一沖洗液的流量；沖洗步驟1完成后，將所述第一沖洗液從所述銻化銦晶片的下方排出，并且將所述第二沖洗液從所述拋光盤的上方導入所述拋光槽內，其中所述第一沖洗液的流量小于所述第二沖洗液的流量。

6.根據權利要求1所述的化學拋光方法，其特征在于，所述拋光槽的內側壁的上部設置有向內延伸的凸臺以支撐所述拋光盤。